易安爱富科技有限公司金东铉获国家专利权
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龙图腾网获悉易安爱富科技有限公司申请的专利氮化硅膜蚀刻组合物以及利用该组合物的蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114250076B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111002181.8，技术领域涉及：C09K13/06；该发明授权氮化硅膜蚀刻组合物以及利用该组合物的蚀刻方法是由金东铉;朴贤宇;洪性俊;李明镐;宋明根;金薰植;高在中;李鸣仪;黄俊赫设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化硅膜蚀刻组合物以及利用该组合物的蚀刻方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻组合物、使用该组合物蚀刻氮化硅膜的方法及半导体器件的制造方法。具体地，根据本发明，可以相比于氧化硅膜高选择性地蚀刻氮化硅膜，并且当应用于高温蚀刻工序和半导体制造工序时，不仅不产生析出物，而且也不会产生氧化硅膜的厚度反而增加的异常生长，因此可以最小化缺陷和可靠性下降。
本发明授权氮化硅膜蚀刻组合物以及利用该组合物的蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化硅膜蚀刻组合物，其中， 相对于所述氮化硅膜蚀刻组合物的总重量，包含： 60至95重量％的磷酸； 0.01至5.00重量％的由以下化学式1表示的倍半硅氧烷；以及 余量的水； [化学式1] R1SiO32n 在所述化学式1中， n为整数6、8、10或12； R1各自独立地为羟基、C1-20烷基、C1-C20烷氧基、C1-20氨基烷基或R11至R14各自独立地为氢或C1-20烷基。
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