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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种高压微型发光器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207202B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310296933.9，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种高压微型发光器件的制备方法是由刘伟;曹衍灿;邬新根;刘英策;王恩泽;何剑设计研发完成，并于2023-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压微型发光器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高压微型发光器件的制备方法，用于实现在衬底表面通过沟道相互隔离的若干个LED单元的连接；其中，所述桥接电极通过层叠于所述玻璃化绝缘层的方式，向两端延伸至LED单元的凹槽裸露部及相邻LED单元的透明导电层，以串联相邻两个LED单元的设置；实现了第一钝化层前置蚀刻开孔裸露所述台面，从而，可精准控制透明导电层的有效面积，确保高压微型发光器件的每个LED单元的发光面积一致；此外，所述第一钝化层可同时并作为电流阻挡层实现均匀电流分布，防止LED单元的电流聚集。同时，通过在所述沟道内形成玻璃化绝缘层，以减小桥接电极向两侧LED单元延伸的高度差，且由于玻璃化体系具有良好的力学结构和化学稳定性，可很好地改善因桥接金属断开的问题。

本发明授权一种高压微型发光器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高压微型发光器件的制备方法，用于实现在衬底表面通过沟道相互隔离的若干个LED单元的连接，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤： S01、提供一外延结构，所述外延结构包括衬底及设置于所述衬底表面的外延叠层，所述外延叠层至少包括在所述衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、有源区和第二型半导体层； S02、通过蚀刻所述外延叠层，使部分所述第一型半导体层裸露，从而形成若干个凹槽及台面，所述凹槽与台面相对设置； S03、通过深蚀刻所述外延叠层至裸露所述衬底表面，形成通过沟道相互间隔排布的若干个LED单元； S04、制作第一钝化层，所述第一钝化层覆盖各所述LED单元，且分别裸露各所述LED单元所对应的凹槽、台面的至少部分表面； S05、在各所述台面裸露部沉积透明导电层； S06、在所述沟道内形成玻璃化绝缘层； S07、制作桥接电极，所述桥接电极通过层叠于所述玻璃化绝缘层的方式，向两端延伸至LED单元的凹槽裸露部及相邻LED单元的透明导电层，以连接相邻两个LED单元； S08、沉积第一电极和第二电极，所述第一电极通过层叠于凹槽裸露部的方式设置于微型发光器件的一端，所述第二电极通过层叠于所述透明导电层表面的方式设置于微型发光器件的另一端； 其中，所述LED单元包括倒装结构LED单元，则还包括绝缘反射镜，其包覆各所述LED单元及所述桥接电极，且保持所述第一电极，以及另一LED单元具有用于外部接触的第二电极； 在所述LED单元的表面还设有第二钝化层，所述第二钝化层设置于所述绝缘反射镜背离所述LED单元的一侧表面，所述第一电极、第二电极通过层叠于所述第二钝化层的方式进行延伸扩展。

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