厦门市三安集成电路有限公司张辉获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门市三安集成电路有限公司申请的专利晶体管器件、半导体外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118435356B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380014035.8，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权晶体管器件、半导体外延结构及其制备方法是由张辉;刘成;叶念慈;徐涵;蔡宗叡;李元铭设计研发完成，并于2023-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管器件、半导体外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种晶体管器件、半导体外延结构及其制备方法；晶体管器件包括衬底、产生有二维电子气的化合物半导体复合结构，设置在衬底上；设置在化合物半导体复合结构上的第一帽层；设置在第一帽层上的插入层；设置在插入层上的第二帽层；插入层的材料的禁带宽度大于第一帽层和第二帽层的材料的禁带宽度；沿着第一帽层指向第二帽层的方向，插入层的材料的禁带宽度先增大后减小；栅极金属，设置在第二帽层上。如此，实现降低开态栅极漏电，增加器件的栅极耐压能力和耐压摆幅，提升器件的栅极可靠性。
本发明授权晶体管器件、半导体外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管器件，其特征在于，包括： 衬底； 产生有二维电子气的化合物半导体复合结构，设置在所述衬底上； 设置在所述化合物半导体复合结构上的第一帽层； 设置在所述第一帽层上的插入层； 设置在所述插入层上的第二帽层；所述插入层的材料的禁带宽度分别大于所述第一帽层和所述第二帽层的材料的禁带宽度；沿着所述第一帽层指向所述第二帽层的方向，所述插入层的材料的禁带宽度先增大后减小； 栅极金属，设置在所述第二帽层上。
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