天合光能股份有限公司余坷获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118943244B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411024573.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池及制备方法是由余坷;韩秉伦;王昭;王子港;陈达明设计研发完成，并于2024-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池，具体提供一种太阳能电池及制备方法,以提升背面电极与多晶硅层的欧姆接触效果。本公开提供的太阳能电池的制备方法包括：提供电池基底，电池基底包括衬底以及在衬底第一表面依次形成的第一钝化层和多晶硅层；在多晶硅层远离衬底的一侧形成电子传输层；对电子传输层进行退火，使电子传输层与多晶硅层反应形成金属硅化合物合金层；在电子传输层远离衬底的一侧形成第二钝化层；形成电极，电极自所述第二钝化层的表面延伸至电子传输层与第一钝化层之间，使电极与金属硅化合物合金层形成欧姆接触。利用金属硅化物合金层能够降低多晶硅层与电极之间的接触电阻，从而提升电池的填充因子，最终提升电池的效率。
本发明授权太阳能电池及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括： 提供电池基底，所述电池基底包括衬底以及在所述衬底第一表面依次形成的第一钝化层和多晶硅层； 在所述多晶硅层远离所述衬底的一侧形成电子传输层； 对所述电子传输层进行退火，使所述电子传输层与所述多晶硅层反应形成金属硅化合物合金层； 在所述电子传输层远离所述衬底的一侧形成第二钝化层； 形成电极，所述电极自所述第二钝化层的表面延伸至所述电子传输层与所述第一钝化层之间，使所述电极与所述金属硅化合物合金层形成欧姆接触； 所述电子传输层的材料为金属氮化物，所述金属为钼、镍、钛中的至少一种。
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