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龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118974948B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380030384.9，技术领域涉及：H10D30/87；该发明授权半导体装置是由川岛克彦;高见义则;元岛大;神田裕介设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：在半导体装置100中，栅极电极140包括与势垒层104肖特基接合的接合部141以及比接合部141伸出的伸出部142d。绝缘层130包括第1侧壁133d和第2侧壁133s。伸出部142d包括第1栅极场板143和第2栅极场板144。第1栅极场板143的下表面最高位置P2从第1位置P0来看具有第2仰角θ2的倾斜，第2栅极场板144的下表面最低位置的漏极电极侧端P3从第1位置P0来看具有第3仰角θ2的倾斜。第2仰角θ2比第3仰角θ3大。第2栅极场板144的下表面包括单调增加的倾斜面144c。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于， 具备： 基板； 沟道层，设在上述基板的上方，由III族氮化物半导体构成； 势垒层，设在上述沟道层的上方，由带隙比上述沟道层大的III族氮化物半导体构成； 源极电极及漏极电极，在上述势垒层的上方在上述基板的俯视中的第1方向上相互隔开间隔而设置； 栅极电极，在上述第1方向上在上述源极电极与上述漏极电极之间相对于它们隔开间隔而设置；以及 绝缘层，在上述栅极电极与上述源极电极及上述漏极电极之间设在上述势垒层的上方； 上述绝缘层包括最下层的由硅氮化物构成的第1绝缘层和上述第1绝缘层的上方的由硅氧化物构成的第2绝缘层； 上述栅极电极包括： 接合部，与上述势垒层肖特基接合；以及 伸出部，在上述第1方向上比上述接合部向上述源极电极侧及上述漏极电极侧分别伸出； 在与上述基板的主面正交的第2方向上的上述伸出部与上述势垒层之间，上述绝缘层包括： 第1侧壁，设在上述接合部与上述漏极电极之间的上述绝缘层的接合部侧端；以及 第2侧壁，设在上述接合部与上述源极电极之间的上述绝缘层的接合部侧端； 上述伸出部包括： 上述俯视中的从第1位置到第2位置的区间的第1电场板，上述第1位置是上述第1侧壁的接合部侧端，上述第2位置是上述第1侧壁的漏极电极侧端；以及 上述俯视中的从上述第2位置到第3位置的区间的第2电场板，上述第3位置是上述伸出部的漏极电极侧端； 在上述第2电场板与上述势垒层之间，设有被层叠的上述第1绝缘层和上述第2绝缘层； 在与上述第1方向及上述第2方向分别平行并且经过上述接合部的截面中， 上述第1侧壁的上表面的上述第1位置处的切线具有相对于上述主面为第1仰角的倾斜； 上述第1电场板的下表面最高位置从上述第1位置来看具有相对于上述主面为第2仰角的倾斜； 上述第2电场板的下表面最低位置的漏极电极侧端从上述第1位置来看具有相对于上述主面为第3仰角的倾斜； 上述第1侧壁的上表面最高位置比上述第2侧壁的上表面最高位置靠下方。

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