合肥工业大学;深圳市前海誉卓科技有限公司张俊喜获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥工业大学;深圳市前海誉卓科技有限公司申请的专利基于Tamm等离激元模式的金纳米阵列耦合光子晶体微腔的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119776945B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510046002.2，技术领域涉及：C25D11/12；该发明授权基于Tamm等离激元模式的金纳米阵列耦合光子晶体微腔的制备方法是由张俊喜;齐鑫;牛力捷;罗慧雄;黄雅丽设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于Tamm等离激元模式的金纳米阵列耦合光子晶体微腔的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于Tamm等离激元模式的金纳米阵列耦合光子晶体微腔的制备方法，通过周期性变电压法对铝片进行氧化处理并去除背面铝基底，制备得到氧化铝光子晶体。将金纳米阵列代替传统的光入射面的金膜结构，通过离子溅射在氧化铝光子晶体的氧化面和去铝面分别进行蒸金，进而得到金纳米阵列‑氧化铝光子晶体‑金膜微腔结构。本发明所述的基于Tamm等离激元模式的金纳米阵列耦合光子晶体微腔的制备方法使得制备工艺更加简单高效，方便易控，而且优化了Tamm等离激元的吸收强度，进而为Tamm等离激元模式的调控提供了更宽阔的自由度。
本发明授权基于Tamm等离激元模式的金纳米阵列耦合光子晶体微腔的制备方法在权利要求书中公布了：1.基于Tamm等离激元模式的金纳米阵列耦合光子晶体微腔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、采用恒定直流电压对高纯度且洁净的铝片进行初次氧化处理，然后对其进行去氧化层处理； 步骤2、采用周期性变电压法对步骤1得到的铝片再次进行氧化，经清洗干燥后通过9%的氯化铜溶液去除背面的铝基底，制备得到氧化铝光子晶体； 在步骤2中的氧化条件与初次氧化相同，氧化电压过程是：Ta=120s，电压保持25V恒定氧化，Tb=30s，电压以先缓后急的速率呈半余弦上升至50V，Tc=200s，电压呈线性由50V下降至25V； 步骤3、在步骤2得到的氧化铝光子晶体的氧化面和去铝面分别进行蒸金处理，形成金纳米阵列-氧化铝光子晶体-金膜微腔结构； 步骤4、通过紫外可见近红外分光光度计对步骤3中蒸金后形成的金纳米阵列-氧化铝光子晶体-金膜微腔结构的反射光谱进行测试。
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