上海恩捷新材料科技有限公司王纯获国家专利权
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龙图腾网获悉上海恩捷新材料科技有限公司申请的专利一种复合集流体及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119786619B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411988336.3,技术领域涉及:H01M4/66;该发明授权一种复合集流体及其制备方法和应用是由王纯;孙龙龙;刘洋;聂磊;史秀琴;陈永乐;程跃;蔡裕宏;王晴晴设计研发完成,并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种复合集流体及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明涉及一种复合集流体及其制备方法和应用。该复合集流体包括聚合物基膜层以及设置于所述聚合物基膜层的至少一个表面上的金属层,所述聚合物基膜层包括与所述金属层接触的金属嵌入层;所述复合集流体的强度因子为所述本发明将复合集流体的强度因子调控在一定的范围内,可以使得复合集流体的拉伸强度相对基膜的拉伸强度的提升程度明显提高。此外,本发明的复合集流体还具有良好的剥离强度和低的方阻。
本发明授权一种复合集流体及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种复合集流体,其特征在于,包括聚合物基膜层以及设置于所述聚合物基膜层的至少一个表面上的金属层,所述聚合物基膜层包括与所述金属层接触的金属嵌入层; 所述复合集流体的强度因子所述 其中,D为金属层的厚度,D为聚合物基膜层的厚度,d为金属嵌入层的厚度; 所述金属层的厚度为:0.5μm≤D≤1.5μm; 所述聚合物基膜层的厚度为:2μm≤D≤8μm; 所述金属嵌入层的厚度为:0.1μm≤d≤D2μm; 金属嵌入层的厚度d是指嵌入聚合物基膜最深处的铜到聚合物基膜层的表面的最短距离。
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