武汉天马微电子有限公司上海分公司曹双迎获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉天马微电子有限公司上海分公司申请的专利一种阵列基板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119815918B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411874839.8,技术领域涉及:H10D86/01;该发明授权一种阵列基板及其制备方法、显示装置是由曹双迎设计研发完成,并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阵列基板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了:本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,制备方法包括:在基底的第一无机层上涂布第一有机溶液;第一有机溶液中包括氟元素,基底包括刚性衬底和第一无机层,第一无机层位于刚性衬底的第一表面上。固化第一有机溶液,形成第一有机膜。将第一有机膜与基底剥离。其中,第一表面包含第一粒子,第一粒子在第一无机层远离刚性衬底的表面上的浓度小于在第一表面上的浓度;第一粒子包括碱金属元素或者碱土金属元素。本申请的方案可以减少进入第一有机溶液中的第一粒子的数量,控制第一有机溶液中的含氟粒子基团与第一粒子结合的比例处于较低水平,有利于控制第一有机层中的载流子通道数量较少,有助于改善黄化现象。
本发明授权一种阵列基板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了:1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括: 在基底的第一无机层上涂布第一有机溶液;所述第一有机溶液中包括氟元素,所述基底包括刚性衬底和所述第一无机层,所述第一无机层位于所述刚性衬底的第一表面上; 固化所述第一有机溶液,形成第一有机膜; 将所述第一有机膜与所述基底剥离; 其中,所述第一表面包含第一粒子,所述第一粒子在所述第一无机层远离所述刚性衬底的表面上的浓度小于在所述第一表面上的浓度;所述第一粒子包括碱金属元素或者碱土金属元素; 所述第一粒子在所述第一表面上的初始浓度为ρ,所述第一粒子在所述第一无机层中的第一位置处的浓度为ρe,e为指数常数; 其中,所述第一无机层的厚度为H,H>1.5h,h为所述第一位置与所述第一无机层上靠近所述刚性衬底的表面之间的间距。
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