北京工业大学王智勇获国家专利权
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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种单片集成外冷腔型自聚焦边发射激光阵列及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119834062B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411971036.4，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种单片集成外冷腔型自聚焦边发射激光阵列及制备方法是由王智勇;齐军;兰天设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单片集成外冷腔型自聚焦边发射激光阵列及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单片集成外冷腔型自聚焦边发射激光阵列及制备方法，包括：在半导体外延层上表面依次设有倾斜波导区、电隔离沟道和分数阶Talbot冷腔区；倾斜波导区包括一个中心波导以及在中心波导左右两侧对称分布的多个倾斜波导，每个倾斜波导的倾斜角度越远离中心波导倾斜角度越大；分数阶Talbot冷腔区长度满足分数阶Talbot距离，且对通过的光既无增益也无损耗；倾斜波导区上表面的一侧设有高反射率DBR光栅；分数阶Talbot冷腔区上表面的一侧设有半反射半透射DBR光栅。本发明有效提升了激光阵列的相干性，并减小了分数阶Talbot阵列在超模识别过程中的损耗，实现了激光阵列高效率高光束质量输出。
本发明授权一种单片集成外冷腔型自聚焦边发射激光阵列及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单片集成外冷腔型自聚焦边发射激光阵列，其特征在于，包括：半导体衬底； 所述半导体衬底上表面形成有半导体外延层； 所述半导体外延层上表面设有倾斜波导区、电隔离沟道、分数阶Talbot冷腔区和半反射半透射DBR光栅； 所述倾斜波导区包括一个中心波导以及在中心波导左右两侧对称分布的多个倾斜波导，每个倾斜波导的倾斜角度以中心波导中心对称，且越远离中心波导倾斜角度越大，以使光场聚焦于阵列中心； 所述电隔离沟道形成于倾斜波导区与分数阶Talbot冷腔区之间，所述分数阶Talbot冷腔区长度满足分数阶Talbot距离，且对通过的光既无增益也无损耗； 所述倾斜波导区上表面的后侧设有高反射率DBR光栅，所述分数阶Talbot冷腔区上表面的前侧设有半反射半透射DBR光栅； 所述倾斜波导区和分数阶Talbot冷腔区上表面自下而上依次设有电极窗口和P金属电极； 所述半导体衬底下表面设有N金属电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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