华中科技大学黄永安获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种激光驱动的MicroLED芯片巨量转移装置及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119836083B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510088169.5，技术领域涉及：H10H29/03；该发明授权一种激光驱动的MicroLED芯片巨量转移装置及其制备方法与应用是由黄永安;盖梦欣设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种激光驱动的MicroLED芯片巨量转移装置及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明属于微型发光二极管组装相关技术领域，其公开了一种激光驱动的MicroLED芯片巨量转移装置及其制备方法与应用，所述装置包括转印图章，所述转印图章包括玻璃、激光敏感层、吸热层及空腔层，所述玻璃、所述激光敏感层及所述空腔层依次相连接，所述激光敏感层开设有通槽，所述吸热层设置在所述通槽内且与槽壁相连接，吸热层的各向异性导热特性在激光与芯片偏移照射时可以实现热量匀化；所述空腔层远离所述玻璃的一侧开设有多个间隔设置的空腔。本发明设置有加热层，通过加热层实现光热转换，利用热效应而不是激光烧蚀实现芯片转移，可以实现转印图章的多次可重复利用即芯片的可逆转移，从而减小了重复制作转印图章的时间。
本发明授权一种激光驱动的MicroLED芯片巨量转移装置及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种激光驱动的MicroLED芯片巨量转移装置，其特征在于： 所述装置包括转印图章，所述转印图章包括玻璃、激光敏感层、吸热层及空腔层，所述玻璃、所述激光敏感层及所述空腔层依次相连接，所述激光敏感层开设有通槽，所述吸热层设置在所述通槽内且与槽壁相连接；所述空腔层远离所述玻璃的一侧开设有多个间隔设置的空腔； 所述吸热层的层内导热率高于层间的热导率；所述吸热层的数量为多个，多个所述吸热层的吸光程度不全相同。
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