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龙图腾网获悉西南科技大学申请的专利一种光催化与电化学辅助的金刚石CMP抛光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119839768B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510319951.3，技术领域涉及：B24B37/10；该发明授权一种光催化与电化学辅助的金刚石CMP抛光装置是由余家欣;郑庆杰;欧李苇;赖建平;叶嘉豪;彭继源;陈贵铃;向超;邹锦鹏设计研发完成，并于2025-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光催化与电化学辅助的金刚石CMP抛光装置在说明书摘要公布了：本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种光催化与电化学辅助的金刚石CMP抛光装置，其抛光头可转动地设置在抛光台的上方，抛光台的台阶槽内盛有抛光液，台阶槽的上台阶面上设置有负电极和抛光垫，台阶槽的下台阶面上设置有紫外光源，抛光头底部的若干待抛光金刚石晶片可与抛光垫摩擦接触，金刚石晶片所在的圆形轨迹的一部分位于紫外光源的正上方。该装置核心在于负电极、掺硼金刚石正电极与抛光液构成电解回路，实现高效电化学辅助抛光。紫外光源采用浸没式设计，直接辐照抛光液与晶片，显著提高紫外光作用效果。该装置具有羟基自由基生成效率高、化学反应持续稳定、反应可控性强等优势，有效解决了金刚石抛光效率低、一致性差的技术难题。

本发明授权一种光催化与电化学辅助的金刚石CMP抛光装置在权利要求书中公布了：1.一种光催化与电化学辅助的金刚石CMP抛光装置，其特征在于，包括抛光台5和抛光头8，所述抛光头8可转动地设置在所述抛光台5的上方；所述抛光台5的顶部设置有台阶槽，所述抛光台5呈圆柱体，所述台阶槽为中心低而四周高的环形台阶槽，所述台阶槽内盛有抛光液18，所述抛光液18中含有导电介质和复合光催化剂，所述台阶槽的上台阶面自下而上依次设置有负电极和抛光垫，所述抛光垫设置有若干通孔11，所述台阶槽的下台阶面上设置有紫外光源13；所述抛光头8的底部设置有掺硼金刚石正电极14和若干待抛光的金刚石晶片15，若干待抛光的金刚石晶片15分布在一个圆形轨迹上，并可与所述抛光垫摩擦接触，所述圆形轨迹、掺硼金刚石正电极14及抛光头8同轴设置，且所述圆形轨迹的一部分位于所述紫外光源13的正上方，使得若干待抛光的金刚石晶片随抛光头转动时交替进行机械抛光和紫外光催化，进而使得每个金刚石晶片受紫外光照射时间一致，机械抛光时间一致，电解反应时间一致；所述负电极和掺硼金刚石正电极14均通过导电滑环16与外部的电源19连接，并与所述抛光液18构成电解回路；所述紫外光源13也通过导电滑环16与外部的电源19连接形成供电回路。

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