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龙图腾网获悉常州大学申请的专利基于石墨烯双材料栅极隧穿场效应晶体管的生物传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894042B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510075697.7，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权基于石墨烯双材料栅极隧穿场效应晶体管的生物传感器是由鲁成龙;刘宪云;杨迪设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于石墨烯双材料栅极隧穿场效应晶体管的生物传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及生物传感器领域，具体涉及一种基于石墨烯双材料栅极隧穿场效应晶体管的生物传感器，包括石墨烯沟道、源极、漏极、绝缘介质层、硅衬底、栅介质层、第一栅极、第二栅极、生物介质层和生物纳米空腔；硅衬底、绝缘介质层、石墨烯沟道和栅介质层自下而上依次层叠设置；源极、漏极位于石墨烯沟道的左右两侧；生物介质层和第二栅极分别层叠在栅介质层的上表面的左右两端部，生物介质层镂空形成生物纳米空腔；第一栅极层叠在生物介质层上表面；第一栅极的金属材料和第二栅极的金属材料的功函数不同。本发明能够对石墨烯沟道的能带进行全面调控，无需对石墨烯进行掺杂即可以实现石墨烯之间的能带隧穿，制造工艺较为简单，且灵敏度高。

本发明授权基于石墨烯双材料栅极隧穿场效应晶体管的生物传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于石墨烯双材料栅极隧穿场效应晶体管的生物传感器，其特征在于， 包括石墨烯沟道1、源极2、漏极3、绝缘介质层4、硅衬底5、栅介质层6、第一栅极7、第二栅极8、生物介质层9和生物纳米空腔10；其中， 所述硅衬底5、所述绝缘介质层4、所述石墨烯沟道1和所述栅介质层6自下而上依次层叠设置； 所述源极2位于所述石墨烯沟道1的左侧，所述漏极3位于所述所述石墨烯沟道1的右侧，所述源极2和所述漏极3均被夹持在所述绝缘介质层4和所述栅介质层6之间，且均与所述石墨烯沟道1肖特基接触； 所述生物介质层9层叠在所述栅介质层6的上表面的左端部，并镂空形成所述生物纳米空腔10； 所述第一栅极7层叠设置在所述生物介质层9的上表面，所述第二栅极8层叠设置在所述栅介质层6的上表面的右端部，并与所述生物介质层9之间留有间隙； 所述源极2的金属材料的功函数大于所述漏极3的金属材料的功函数，所述第一栅极7的金属材料和所述第二栅极8的金属材料的功函数不同。

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