中芯国际集成电路制造(上海)有限公司邱晶获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119907302B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311396934.7，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法是由邱晶设计研发完成，并于2023-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括具有PMOS区和NMOS区的衬底，衬底上形成有分立的鳍部；栅极结构，位于衬底上且横跨鳍部，栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；第一隔离结构，位于PMOS区中待隔离的相邻栅极结构之间的鳍部中；第二隔离结构，位于NMOS区中，第二隔离结构横跨栅极结构侧部的鳍部并与栅极结构并列排布，第二隔离结构的底部延伸至鳍部中；第一源漏掺杂层，位于PMOS区的栅极结构两侧的鳍部中；第二源漏掺杂层，位于NMOS区的栅极结构两侧的鳍部中。本发明减小了形成第一隔离结构后，PMOS区和NMOS区的响应速度差异，进而提高了半导体结构的性能；而且还有利于节省半导体结构的面积。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括PMOS区和NMOS区，所述衬底上形成有分立的鳍部； 栅极结构，位于所述衬底上且横跨所述鳍部，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁； 第一隔离结构，位于所述PMOS区中，且位于待隔离的相邻栅极结构之间的鳍部中； 第二隔离结构，位于所述NMOS区中，所述第二隔离结构横跨所述栅极结构侧部的鳍部并与所述栅极结构并列排布，所述第二隔离结构的底部延伸至所述鳍部中； 第一源漏掺杂层，位于所述PMOS区的栅极结构两侧的鳍部中； 第二源漏掺杂层，位于所述NMOS区的栅极结构两侧的鳍部中。
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