得一微电子股份有限公司张伟获国家专利权
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龙图腾网获悉得一微电子股份有限公司申请的专利闪存阈值分布偏移量的优化方法、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920288B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411970797.8，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权闪存阈值分布偏移量的优化方法、设备及存储介质是由张伟;吴大畏设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存阈值分布偏移量的优化方法、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本申请公开了一种闪存阈值分布偏移量的优化方法、设备及存储介质，涉及存储器技术领域，所述的方法包括：获取闪存设备的存储单元的工作环境信息；将工作环境信息输入预设的目标阈值偏移预测模型，得到存储单元的第一阈值偏移量；根据第一阈值偏移量，对存储单元的初始阈值电压范围进行调整，得到目标阈值电压范围。本申请能提高数据的可靠性和完整性，延长闪存设备的整体寿命。
本发明授权闪存阈值分布偏移量的优化方法、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种闪存阈值分布偏移量的优化方法，其特征在于，所述的方法包括： 获取闪存设备的存储单元的工作环境信息； 将所述工作环境信息输入预设的目标阈值偏移预测模型，得到所述存储单元的第一阈值偏移量； 根据所述第一阈值偏移量，对所述存储单元的初始阈值电压范围进行调整，得到目标阈值电压范围； 获取并根据各个所述存储单元的阈值电压偏移量，识别出所述阈值电压偏移量异常的存储区域； 将所述阈值电压偏移量异常的存储区域确认为第一存储区域，其他存储区域确认为第二存储区域，包括：计算所述阈值电压偏移量的平均值；若所述阈值电压偏移量大于或者小于所述平均值，则确定所述阈值电压偏移量对应的存储单元为所述第一存储区域；若所述阈值电压偏移量等于所述平均值，则确定所述阈值电压偏移量对应的存储单元为所述第二存储区域； 将所述第一存储区域的数据迁移至所述第二存储区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人得一微电子股份有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南七道17号深圳市数字技术园A1栋七层A区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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