中山大学郑伟获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种大面积六方氮化硼紫外单光子源的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119932522B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510113666.6，技术领域涉及：C23C16/34；该发明授权一种大面积六方氮化硼紫外单光子源的制备方法是由郑伟;程璐;朱思琪设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大面积六方氮化硼紫外单光子源的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种大面积六方氮化硼紫外单光子源的制备方法，包括以下步骤：在气相沉积炉中，使用石墨夹具固定碳化硅衬底；系统首先抽真空至10‑3Pa气压以下，再升温至反应温度后保温；然后通入BCl3和NH3、或BF3和NH3两种原料气体，并利用高温环境促使石墨夹具发生轻微分解从而提供碳源，气体混合并发生化学反应，生长出大面积具有碳缺陷的六方氮化硼膜，从衬底上剥离后的膜即所述六方氮化硼紫外单光子源。本发明成功制备大面积六方氮化硼紫外单光子发射源，表征出潜在的呈现单光子源特性的发射中心，为量子通信和光电子应用中的六方氮化硼材料的实际应用铺平了道路，展示了该材料在室温下的稳定性和高效单光子发射能力。
本发明授权一种大面积六方氮化硼紫外单光子源的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种大面积六方氮化硼紫外单光子源的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1、在气相沉积炉中，使用石墨夹具固定碳化硅衬底，并抽真空至10-3Pa气压以下； 步骤S2、利用电阻加热的方式将系统温度升高至反应温度并进行保温；在高温环境下，通入BCl3和NH3、或BF3和NH3两种原料气体，高温使得石墨夹具发生轻微分解从而提供少量碳源，在沉积腔的中部，气体混合并发生化学反应，生长出大面积具有碳缺陷的六方氮化硼膜； 步骤S3、断电，六方氮化硼膜和衬底随炉冷却至室温出炉，从衬底上剥离六方氮化硼膜，制得大面积六方氮化硼单光子源。
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