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龙图腾网获悉连科半导体有限公司申请的专利一种连续供料的区熔炉获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119956465B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510023305.2，技术领域涉及：C30B13/00；该发明授权一种连续供料的区熔炉是由胡动力;彭亦奇;陈湘伟设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种连续供料的区熔炉在说明书摘要公布了：本发明属于悬浮区熔单晶炉技术领域，具体的说是一种连续供料的区熔炉，包括长晶炉室，所述长晶炉室内部上端设有硅管，所述硅管下端固接有底部石英托，所述长晶炉室内部固接的第一圆筒，所述第一圆筒中部固接有感应线圈，所述感应线圈位于硅管外侧，所述硅管上端中部设有石墨预热环，所述硅管外侧周围设有若干水冷石英管，所述长晶炉室内部下端滑动设置有籽晶，所述长晶炉室上端设有加料组件，所述加料组件包括长晶炉室上端设有的加料仓，通过水冷石英管对硅管侧外侧进行冷却，在熔化的颗粒硅和未熔化的颗粒硅之间形成一层自范的硅坩埚，解决了颗粒硅与底部石英托接触可能会造成污染的问题。

本发明授权一种连续供料的区熔炉在权利要求书中公布了：1.一种连续供料的区熔炉，包括长晶炉室1，所述长晶炉室1内部上端设有硅管16，所述硅管16下端固接有底部石英托12，所述硅管16外侧设有加热装置，其特征在于：所述加热装置包括长晶炉室1内部固接的第一圆筒11，所述第一圆筒11中部固接有感应线圈14，所述感应线圈14位于硅管16外侧，所述硅管16上端中部设有石墨预热环15，所述硅管16外侧周围设有若干水冷石英管13，所述长晶炉室1内部下端滑动设置有籽晶18，所述长晶炉室1上端设有加料组件，所述加料组件包括长晶炉室1上端设有的加料仓2，所述加料仓2下端固接有输送组件，所述输送组件包括加料仓2下端安装的加料管21，所述加料管21位于硅管16上端；所述底部石英托12下端开设有小孔，底部石英托12下端设有的小孔小于颗粒硅颗粒的直径； 所述加料仓2内部下端固接有旋涡板25，所述旋涡板25内部为空心结构，且侧壁分别开设有若干矩形孔252； 所述旋涡板25内部安装有海绵片251； 所述加料仓2上端固接有第二圆板26，所述第二圆板26下端设有拨料组件，所述拨料组件包括第二圆板26下端转动连接的第二圆柱块261，所述第二圆柱块261中部滑动贯穿有矩形筒264，所述矩形筒264下端一侧设有第二矩形条27，所述第二矩形条27位于旋涡板25的缝隙中，所述第二圆柱块261下端固接有第三圆筒262，所述第三圆筒262下端内部滑动设置有第二圆柱杆263； 所述第二矩形条27通过销轴转动贯穿矩形筒264下端一侧，所述第二矩形条27通过销轴固接有齿轮272，所述矩形筒264内部设有齿条273，所述齿条273通过第二矩形块274与第二圆板26固接，所述齿轮272与齿条273啮合，所述矩形筒264能够在齿条273外侧滑动。

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