西安交通大学;国网上海市电力公司吴治诚获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学;国网上海市电力公司申请的专利粉体表面元素掺杂类金刚石沉积装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120006263B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311527322.7，技术领域涉及：C23C16/507；该发明授权粉体表面元素掺杂类金刚石沉积装置是由吴治诚;艾志军;安政杰;赵军平;张乔根;张泽昊;冯乐;马瑞涛;徐鹏;胡正勇设计研发完成，并于2023-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本粉体表面元素掺杂类金刚石沉积装置在说明书摘要公布了：公开了一种粉体表面元素掺杂类金刚石沉积装置，粉体表面元素掺杂类金刚石沉积装置中，振动台提供可调节振动，等离子体反应腔容纳粉体且在底部形成沉积区域，等离子体反应腔支承于振动台以振动分散粉体，靶材基座设于密封盖底部，靶材安装于靶材基座，脉冲功率源连接靶材基座以提供脉冲功率溅射靶材生成掺杂元素，电感线圈安装于等离子体反应腔外，电感线圈连接高频匹配电路以在等离子体反应腔中产生高密度等离子体，偏置电极设于等离子体反应腔的下部，偏置电极连接低频匹配电路以调节沉积区域离子能量。
本发明授权粉体表面元素掺杂类金刚石沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种粉体表面元素掺杂类金刚石沉积装置，其特征在于，其包括， 振动台，其提供可调节振动， 等离子体反应腔，其容纳粉体且在底部形成沉积区域，所述等离子体反应腔支承于所述振动台以振动分散粉体， 低频匹配电路，其连接提供低频功率的低频功率源， 偏置电极，其设于等离子体反应腔的下部，偏置电极连接低频匹配电路以调节所述沉积区域离子能量， 密封盖，其盖设于等离子体反应腔的顶端以密封等离子体反应腔，靶材基座与密封盖胶接为一体，靶材安装在靶材基座上，用于提供掺杂元素，脉冲功率源连接靶材基座以提供脉冲功率溅射所述靶材生成掺杂元素，偏置电极、低频匹配电路和低频功率源依次连接构成低频功率电路，所述低频功率电路的工作频率为2-13.56MHz。
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