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龙图腾网获悉江淮前沿技术协同创新中心;重庆大学申请的专利一种基于数值模拟的氮化硅烧结工艺参数优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120012414B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510092953.3，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种基于数值模拟的氮化硅烧结工艺参数优化方法是由刘许旸;宋文浩;史静怡;许祥妹;巩胜霞;王洪昊设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于数值模拟的氮化硅烧结工艺参数优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于数值模拟的氮化硅烧结工艺参数优化方法，包括如下步骤：对光固化3D打印氮化硅陶瓷依次实施脱脂和烧结实验，对烧结后的陶瓷进行微观表征，得到第二表征结果；建立氮化硅陶瓷烧结收缩变形的粘弹性本构方程，基于粘弹性本构方程在Abaqus中构建烧结有限元模型，以获取瞬态温度场的模拟结果以及烧结收缩变形的模拟结果；基于第二表征结果对有限元模型进行校正，得到验证后的有限元模型；根据验证后的有限元模型对原始烧结工艺曲线进行优化，选择成本最低并且对烧结应力降低程度影响最大的烧结工艺曲线作为最优烧结工艺，进而实现烧结工艺的优化。该烧结工艺参数优化方法不仅降低了成本，而且实验周期短，生产效率高。

本发明授权一种基于数值模拟的氮化硅烧结工艺参数优化方法在权利要求书中公布了：1.一种基于数值模拟的氮化硅烧结工艺参数优化方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、对光固化3D打印氮化硅陶瓷实施脱脂实验，对脱脂后的陶瓷进行微观表征，得到第一表征结果； 步骤二、按照原始烧结工艺曲线对脱脂后的陶瓷进行烧结实验，并对烧结后的陶瓷进行微观表征，得到第二表征结果； 步骤三、建立氮化硅陶瓷烧结收缩变形的粘弹性本构方程，基于粘弹性本构方程在Abaqus中构建烧结有限元模型，以获取瞬态温度场的模拟结果以及烧结收缩变形的模拟结果； 步骤四、基于第二表征结果对有限元模型进行标定与校正，当有限元模型输出的模拟结果与实验得到的第二表征结果的相对误差小于等于10%时，得到验证后的有限元模型； 步骤五、根据验证后的有限元模型对原始烧结工艺曲线进行优化，将优化后的烧结工艺曲线重新带入有限元模型中瞬态热传导的模拟中，以进行烧结收缩变形的模拟，从而评估优化后的烧结工艺曲线对烧结应力的影响，选择成本最低并且对烧结应力降低程度影响最大的烧结工艺曲线作为最优烧结工艺，进而实现烧结工艺的优化； 在步骤五中，具体为： 对步骤二中的初始烧结工艺曲线进行分段烧结工艺优化，将分段烧结工艺曲线作为第一次优化后的烧结工艺曲线； 通过改变烧结温度对烧结应力的影响，优化第一次优化后的烧结工艺曲线，得到第二次优化后的烧结工艺曲线； 通过改变高温阶段烧结速率对烧结应力的影响，优化第二次优化后的烧结工艺曲线，得到第三次优化后的烧结工艺曲线； 通过改变高温段保温时间对烧结应力的影响，优化第三次优化后的烧结工艺曲线，得到第四次优化后的烧结工艺曲线； 将以上四次优化后的烧结工艺曲线均分别带入有限元模型中瞬态热传导的模拟中，以进行烧结收缩变形的模拟，评估每次优化后的烧结工艺曲线对烧结应力的影响，从而将第四次优化后的烧结工艺曲线作为最优烧结工艺曲线。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江淮前沿技术协同创新中心;重庆大学，其通讯地址为：230088 安徽省合肥市望江西路920号中安创谷科技园二期H3、H4、H5、H6、H7、H8幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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