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龙图腾网获悉广州华瑞升阳投资有限公司申请的专利隔离墙、形成隔离墙的方法以及包含隔离墙结构的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120039820B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311597058.4，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权隔离墙、形成隔离墙的方法以及包含隔离墙结构的半导体器件是由梁明龙;蓝海鑫;郭铭;刘伟设计研发完成，并于2023-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本隔离墙、形成隔离墙的方法以及包含隔离墙结构的半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种隔离墙、形成隔离墙的方法以及包含隔离墙结构的半导体器件，所述半导体器件包括半导体衬底、第一电子组件和第二电子组件，所述第一电子组件和所述第二电子组件均至少有一部分导电结构设置在所述半导体衬底中，且所述第一电子组件和所述第二电子组件需要电气隔离，所述隔离墙包括：绝缘介质，所述绝缘介质在所述半导体衬底的垂直方向上贯穿所述半导体衬底，并至少对所述第一电子组件和所述第二电子组件之一位于所述导体衬底中的导电结构进行围蔽。本发明的半导体器件既具有高功率密度，又具有高隔离性能。

本发明授权隔离墙、形成隔离墙的方法以及包含隔离墙结构的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种隔离墙，应用于半导体器件，所述半导体器件为变压器，所述半导体器件包括半导体衬底、第一电子组件和第二电子组件，所述第一电子组件包括所述变压器的一次侧导电线圈绕组，设置在所述半导体衬底中；所述第二电子组件包括所述变压器的二次侧导电线圈绕组的第一部分线圈、所述变压器的二次侧导电线圈绕组的第二部分线圈以及连接柱，所述变压器的二次侧导电线圈绕组的第一部分线圈设置在所述半导体衬底的第一表面之上，所述变压器的二次侧导电线圈绕组的第二部分线圈设置在所述半导体衬底的第二表面之下，所述连接柱设置在所述半导体衬底中且连接所述变压器的二次侧导电线圈绕组的第一部分线圈和所述变压器的二次侧导电线圈绕组的第二部分线圈，所述第一电子组件和所述第二电子组件均至少有一部分导电结构设置在所述半导体衬底中，且所述第一电子组件和所述第二电子组件需要电气隔离，其特征在于，所述隔离墙包括：绝缘介质，所述绝缘介质填充于所述变压器的第一电子组件与所述变压器的第二电子组件之间的半导体衬底之内，且所述绝缘介质在所述半导体衬底的垂直方向上贯穿所述半导体衬底，并至少对所述第一电子组件和所述第二电子组件之一位于所述导体衬底中的导电结构进行围蔽。

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