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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076304B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311590094.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由武迪;刘克;武昭君;蒋年新设计研发完成，并于2023-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：衬底，衬底中具有沿第一方向间隔排布的多个有源区；衬底中还具有沿第一方向间隔排布的多个接触孔，接触孔露出相邻的有源区；填充于接触孔中的接触结构，接触结构包括：第一接触结构，位于有源区上方；第一侧墙结构，覆盖至少部分第一接触结构侧面；第二接触结构，覆盖至少部分第一侧墙结构侧面，且第二接触结构位于两个相邻的有源区之间，其中，第一接触结构与相邻的有源区中的一者电接触，第二接触结构与相邻的有源区中的另一者电接触。本公开实施例提供的半导体结构至少能够提升半导体结构的可靠性。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 包括： 衬底，所述衬底中具有沿第一方向间隔排布的多个有源区；所述衬底中还具有沿所述第一方向间隔排布的多个接触孔，所述接触孔露出相邻的所述有源区； 填充于所述接触孔中的接触结构，所述接触结构包括：第一接触结构，位于所述有源区上方；第一侧墙结构，覆盖至少部分所述第一接触结构侧面；第二接触结构，覆盖至少部分所述第一侧墙结构侧面，且所述第二接触结构位于两个相邻的所述有源区之间，其中，所述第一接触结构与相邻的所述有源区中的一者电接触，所述第二接触结构与相邻的所述有源区中的另一者电接触； 其中，所述有源区沿预设方向延伸，所述有源区包括沿所述预设方向间隔排布的第一源漏区、沟道区以及第二源漏区，所述沟道区位于所述第一源漏区两侧，所述第二源漏区位于所述沟道区远离所述第一源漏区的一侧； 多个所述有源区包括：沿所述第一方向交替排布的第一有源区以及第二有源区；其中，所述第一接触结构与相邻的所述第一有源区或者所述第二有源区中的一者的第一源漏区电接触，所述第二接触结构与相邻的所述第一有源区或者所述第二有源区中的另一者的第二源漏区电接触。

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