福建省晋华集成电路有限公司张议丹获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076322B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510307672.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制作方法是由张议丹;颜逸飞;吴建山;晋墩尚;汤畴坤;刘旭设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体器件及其制作方法，其包括衬底、多条位线、位线间隙壁以及至少一填充层。多条位线沿第一方向延伸，且相互间隔地设置在衬底上。位线包括至少一第一位线和多条第二位线，至少一第一位线设置在多条第二位线一侧。位线间隙壁设置在各条第二位线和至少一第一位线的侧壁上。至少一填充层沿着第一方向延伸并设置在至少一第一位线内，其中填充层包括至少部分相同于位线间隙壁的材料。如此，通过填充层的设置，得以有效维持单元区域内的各条第二位线的结构完整性，从而提高半导体器件的操作表现。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 多条位线，沿第一方向延伸，且相互间隔地设置在所述衬底上，所述位线包括至少一第一位线和多条第二位线，所述至少一第一位线设置在所述第二位线一侧； 位线间隙壁，设置在各所述第二位线和所述至少一第一位线的侧壁上；以及 至少一填充层，沿着所述第一方向延伸并设置在所述至少一第一位线内，其中所述至少一填充层包括至少部分相同于所述位线间隙壁的材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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