中芯国际集成电路制造(上海)有限公司司进获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076397B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311586941.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由司进;谭程;王文泰;崇二敏;张海洋设计研发完成，并于2023-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，基底包括器件区以及与其相邻的伪器件区，器件区和伪器件区的基底的顶部形成有叠层栅极结构，叠层栅极结构包括第一栅极结构以及位于第一栅极结构上方的第二栅极结构；在器件区和伪器件区的基底上形成覆盖叠层栅极结构侧壁的层间介质层；去除第二栅极结构；去除第二栅极结构之后，去除器件区的第一栅极结构，在器件区形成开口，开口由相邻层间介质层相正对的侧壁以及基底的顶面围成；在开口中形成器件栅极结构，器件栅极结构的顶部与伪器件区中的第一栅极结构的顶部相齐平。提高了器件栅极结构的顶面平整度和器件栅极结构的厚度均一性，进而提高了半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括器件区以及与其相邻的伪器件区，所述器件区和伪器件区的基底的顶部形成有叠层栅极结构，所述叠层栅极结构包括第一栅极结构以及位于所述第一栅极结构上方的第二栅极结构； 在所述器件区和伪器件区的所述基底上形成覆盖所述叠层栅极结构侧壁的层间介质层； 去除所述第二栅极结构； 去除所述第二栅极结构之后，去除所述器件区的第一栅极结构，在所述器件区形成开口，所述开口由相邻所述层间介质层相正对的侧壁以及所述基底的顶面围成； 在所述开口中形成器件栅极结构，所述器件栅极结构的顶部与所述伪器件区中的第一栅极结构的顶部相齐平。
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