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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体电学特性的测试方法和半导体电学特性的测试装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120142880B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311694866.2，技术领域涉及：G01N27/62；该发明授权半导体电学特性的测试方法和半导体电学特性的测试装置是由陶国桥设计研发完成，并于2023-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体电学特性的测试方法和半导体电学特性的测试装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体电学特性的测试方法和测试装置。该方法包括：获取包括至少一种掺杂元素的半导体微霍尔测试结构；测定该测试结构的电学参数；用二次离子质谱法对该测试结构去除特定厚度的薄层，对被去除的材料进行原子组成分析；再次测定该测试结构的电学参数；重复执行前述两个步骤，直至获得该测试结构中活性掺杂元素以及初始掺杂元素的掺杂浓度的分布信息，并根据掺杂浓度的分布信息计算得出该测试结构的掺杂效率的分布信息。本申请可以将电学特性与掺杂浓度相结合，通过获取半导体电学特性与掺杂浓度的分布信息，推断出掺杂效率的分布；以及通过二次离子质谱法技术可控地去除薄层，获得精度更高的半导体掺杂轮廓信息。

本发明授权半导体电学特性的测试方法和半导体电学特性的测试装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体电学特性的测试方法，其特征在于，包括： S100、获取半导体微霍尔测试结构，所述半导体微霍尔测试结构包括至少一种掺杂元素； S200、测定所述半导体微霍尔测试结构的电学参数，并获得所述半导体微霍尔测试结构中活性掺杂元素的掺杂浓度； S300、用二次离子质谱法对所述半导体微霍尔测试结构去除预设厚度的薄层，对被去除的材料进行原子组成分析，并获得所述半导体微霍尔测试结构中所述薄层初始掺杂元素的掺杂浓度； S400、去除预设厚度的薄层后，再次测定所述半导体微霍尔测试结构的电学参数，并获得所述半导体微霍尔测试结构中活性掺杂元素的掺杂浓度，由去除所述薄层前后获得的所述半导体微霍尔测试结构中活性掺杂元素的掺杂浓度的变化可得所述半导体微霍尔测试结构中所述薄层活性掺杂元素的掺杂浓度； 重复执行所述步骤S300和所述步骤S400，直至获得厚度方向上所述半导体微霍尔测试结构的电学参数、初始掺杂元素的掺杂浓度以及活性掺杂元素的掺杂浓度的分布信息，并根据所述活性掺杂元素的掺杂浓度以及初始掺杂元素的掺杂浓度的分布信息计算得出所述半导体微霍尔测试结构的掺杂效率的分布信息。

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