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龙图腾网获悉天津工业大学申请的专利一种P型-Si和N型-Ga2O3异质结二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152306B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510608568.X，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种P型-Si和N型-Ga2O3异质结二极管是由牛萍娟;梁博设计研发完成，并于2025-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种P型-Si和N型-Ga2O3异质结二极管在说明书摘要公布了：本发明提供了一种P型‑Si和N型‑Ga2O3异质结二极管，包括由下到上设置的阴极欧姆电极、衬底和漂移层以及位于漂移层上方的P区、位于P区两侧的氧化物介质层和位于P区上方的阳极欧姆电极；P区的两端为由下到上向两侧扩展的阶梯状结构；氧化物介质层与P区两侧的阶梯状接触适配，且下表面位于漂移层上，上表面与P区高度一致；阳极欧姆电极覆盖于P区上表面，且两侧向外延伸覆盖部分氧化物介质层，形成金属场板层；衬底材料为N型重掺杂的Ga2O3；漂移层材料为N型轻掺杂的Ga2O3；P区材料为P型重掺杂的Si。本发明所述的P型‑Si和N型‑Ga2O3异质结二极可作为p‑n‑pGa2O3基双极型二极管基础材料及应用于栅极驱动电路，同时具有高耐压、低导通电阻的优异性能。

本发明授权一种P型-Si和N型-Ga2O3异质结二极管在权利要求书中公布了：1.一种P型-Si和N型-Ga2O3异质结二极管，包括由下到上依次设置的阴极欧姆电极1、衬底2和漂移层3，其特征在于：还包括位于所述漂移层3上方的P区4、位于所述P区4两侧的氧化物介质层5和位于所述P区4上方的阳极欧姆电极6；所述P区4的两端为由下到上向两侧扩展的阶梯状结构；所述氧化物介质层5与所述P区4两侧的阶梯状接触适配，所述氧化物介质层5的下表面位于所述漂移层3上，上表面与所述P区4高度一致；所述阳极欧姆电极6覆盖于所述P区4上表面，且两侧向外延伸覆盖部分所述氧化物介质层5，形成金属场板层7；所述衬底2的材料为N型重掺杂的Ga2O3；所述漂移层3的材料为N型轻掺杂的Ga2O3；所述P区4材料为P型重掺杂的Si；所述阴极欧姆电极1的厚度为0.2～0.8μm；所述阳极欧姆电极6的厚度为0.4～1.0μm；所述衬底2的厚度Ts为2～6μm；所述漂移层3的厚度Td为8～12μm；所述P区4两端的阶梯个数N均为2～8个，每个阶梯的高度为0.5～1.0μm，宽度为0.2～0.8μm；所述金属场板层7的长度L为2～5μm。

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