华南师范大学吴与伦获国家专利权
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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利基于二硫化钼浮栅晶体管的LIF神经元器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152358B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510211173.6，技术领域涉及：H10D30/68；该发明授权基于二硫化钼浮栅晶体管的LIF神经元器件及其制备方法是由吴与伦;刘美壮设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于二硫化钼浮栅晶体管的LIF神经元器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及基于二硫化钼浮栅晶体管的LIF神经元器件及其制备方法，包括SiO2Si衬底，设置于SiO2层上的第一电极层，并列位于第一电极层上的石墨烯浮栅层和功能层，层叠于浮栅层上的h‑BN浮栅介质层和MoS2沟道层，浮栅介质层延伸至部分功能层的表面，设置于功能层上的第二电极层，设置于沟道层上两侧的第三电极和连接至第二电极层的第四电极；第一电极层为活泼金属电极，连接至浮栅层；其通过阈值开关忆阻器对浮栅晶体管的浮栅存储状态进行调控，具有非易失性存储特性、连续可调的脉冲响应、可高密度集成、可进行低功耗操作、响应时间快、耐久性强等优点，能够实现批量化的制备，适合于工业规模的生产。
本发明授权基于二硫化钼浮栅晶体管的LIF神经元器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.基于二硫化钼浮栅晶体管的LIF神经元器件，其特征在于，包括SiO2Si衬底，设置于SiO2层上的第一电极层，设置于第一电极层上的功能层，设置于功能层上的第二电极层，所述第一电极层、功能层和所述第二电极层构成阈值开关忆阻器； SiO2层上还设置有石墨烯浮栅层，h-BN浮栅介质层设置于石墨烯浮栅层和功能层上，MoS2沟道层设置于h-BN浮栅介质层上，第三电极和第四电极分别设置于所述MoS2沟道层上的两侧； 所述第一电极层为活泼金属电极，其连接至所述石墨烯浮栅层，所述第二电极层连接至所述第四电极； 所述石墨烯浮栅层和所述功能层并列设置于所述第一电极层上，所述SiO2层为栅介质层，Si衬底为底栅。
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