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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120164847B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311739685.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件及其制造方法是由尤康;谢东升设计研发完成，并于2023-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述方法包括：提供衬底，所述衬底中设有沿第一方向延伸的多个有源区；在所述衬底上形成沿第二方向延伸的多个图案化的掩膜层；利用所述图案化的掩膜层刻蚀所述有源区，以形成沿所述第一方向和所述第二方向呈阵列排布的多个有源柱；在所述有源柱的侧壁形成栅极介质层；在相邻所述有源柱之间填充导电材料且覆盖所述栅极介质层表面，以形成导电材料层；在所述图案化的掩膜层的侧壁形成侧壁掩膜层；其中，所述图案化的掩膜层和所述侧壁掩膜层共同定义出字线结构的位置；所述第一方向和所述第二方向均平行于所述衬底且所述第一方向和所述第二方向相交。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底；刻蚀所述衬底，以形成沿第一方向延伸的多个第一隔离槽；所述第一隔离槽将所述衬底划分为沿所述第一方向延伸的多个有源区；在所述第一隔离槽中填充隔离材料，以在相邻所述有源区之间形成隔离层； 在所述衬底上形成沿第二方向延伸的多个图案化的掩膜层； 利用所述图案化的掩膜层刻蚀所述有源区，以形成沿所述第一方向和所述第二方向呈阵列排布的多个有源柱，包括：利用所述图案化的掩膜层刻蚀所述有源区和所述隔离层，以形成沿所述第二方向延伸的多个第二隔离槽；所述第一隔离槽和所述第二隔离槽共同将所述衬底划为多个有源柱； 通过所述第二隔离槽，去除相邻所述有源柱之间的部分所述隔离层，以在所述第一隔离槽中形成第三隔离槽，并暴露所述有源柱的侧壁； 在所述有源柱的侧壁形成栅极介质层； 在相邻所述有源柱之间填充导电材料且覆盖所述栅极介质层表面，以形成导电材料层； 在所述图案化的掩膜层的侧壁形成侧壁掩膜层；其中，所述图案化的掩膜层和所述侧壁掩膜层共同定义出字线结构的位置；所述第一方向和所述第二方向均平行于所述衬底且所述第一方向和所述第二方向相交。

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