买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京卓镭激光技术有限公司申请的专利应用于面阵列发射激光器的芯片结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120184741B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510646546.2，技术领域涉及：H01S5/42；该发明授权应用于面阵列发射激光器的芯片结构是由张立娜设计研发完成，并于2025-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本应用于面阵列发射激光器的芯片结构在说明书摘要公布了：本说明书公开了一种应用于面阵列发射激光器的芯片结构，涉及激光器技术领域。其包括基底热沉及多个VCSEL封装单元。VCSEL封装单元包括相互连接的VCSEL芯片及过渡热沉。过渡热沉的第一面包括设置有第一导电件的第一区域及设置有第二导电件的第二区域。VCSEL芯片正面设置有第一电极及至少一个导电延展件，反面设置有第二电极。第二电极与第二导电件接触。至少一个导电延展件与第一电极、第一导电件接触。多个VCSEL封装单元的底部与该第三区域连接，且存在至少两个VCSEL封装单元通过连接结构相互连接。可见，实现了对VCSEL芯片的阵列布置，且散热面积大，散热性能优越，加工简单，应力小，适合规模化生产。

本发明授权应用于面阵列发射激光器的芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种应用于面阵列发射激光器的芯片结构，其特征在于，包括： 多个VCSEL封装单元，所述VCSEL封装单元包括相互连接的VCSEL芯片以及过渡热沉；所述过渡热沉的第一面包括第一区域以及第二区域；所述第一区域设置有第一导电件，所述第二区域设置有第二导电件；所述VCSEL芯片的正面设置有第一电极以及至少一个导电延展件，所述VCSEL芯片的反面设置有第二电极；所述VCSEL芯片的反面与所述第二区域的至少部分区域密贴，且所述第二电极与所述第二导电件接触；所述至少一个导电延展件与所述第一电极接触，且与所述第一导电件接触；所述第一电极为正极，所述第二电极为负极；所述VCSEL芯片的正面设置有发光区，所述发光区用于在所述第一电极、所述第二电极流经预设电流时输出激光； 基底热沉，所述基底热沉的上表面的第三区域为平滑状；所述多个VCSEL封装单元的底部均与所述第三区域连接，且存在至少两个VCSEL封装单元通过连接结构相互连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京卓镭激光技术有限公司，其通讯地址为：101300 北京市顺义区安平北街8号院16号楼-1至5层101内1-5层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。