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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种掺杂的钒氧化物的神经形态忆阻器及其制造方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120187278B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510663527.0，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种掺杂的钒氧化物的神经形态忆阻器及其制造方法与应用是由杨蕊;龚洁;张倍宁;李志远;缪向水设计研发完成，并于2025-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种掺杂的钒氧化物的神经形态忆阻器及其制造方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种掺杂的钒氧化物的神经形态忆阻器及其制造方法与应用，属于神经形态计算器件制备领域。本发明针对氧化钒阈值开关器件相变温度在68℃左右的问题，提出通过掺杂铬离子、铁离子、锗离子来提高钒氧化物的相变温度，从而增强其在高温或大功率环境下的稳定性和可靠性。该忆阻器通过设计通孔结构来改善忆阻器性能，包括由下到上依次设置的衬底、底电极、隔离层和顶电极，所述顶电极和底电极用于连接正向电压和负向电压，所述隔离层中设置有阻变层材料，阻变层为掺杂的钒氧化物层。该忆阻器制备工艺简单，具有较好的阈值转变特性，同时提高了氧化钒的相变温度，适用于大规模神经神经形态的计算。

本发明授权一种掺杂的钒氧化物的神经形态忆阻器及其制造方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种掺杂的钒氧化物的神经形态忆阻器，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、隔离层和顶电极；所述隔离层中设置有通孔，所述通孔内沉积有阻变层材料，所述阻变层材料为铬离子、铁离子或锗离子掺杂的钒氧化物； 所述铬离子用于提高钒氧化物中三价钒的比例，促进局部区域形成具有Mott特性的结构，并增强材料的晶格稳定性；所述铁离子用于改变钒氧化物中电子态密度分布，导致晶格畸变，增强晶体的刚性，进而提高相变温度；所述锗离子用于增强了钒氧化物中单斜相V-V二聚体的稳定性，从而抑制低温单斜相向高温金红石相的转变； 所述掺杂的钒氧化物的神经形态忆阻器的相变温度提高至380K以上； 所述通孔内沉积阻变层材料的具体制备方法为：在所述的隔离层上旋涂光刻胶，形成光刻胶薄膜层，然后通过无掩膜光刻机导入通孔横截面图案进行光刻后显影，得到光刻胶掩膜层；通过反应耦合等离子体工艺进行刻蚀，得到通孔；然后将合金靶在室温下进行射频磁控溅射，所述合金靶为钒铬合金、钒铁合金或钒锗合金，所述射频磁控溅射过程中通入氩气与氧气的混合气体；随后去除光刻胶； 所述射频磁控溅射过程中混合环境压力为0.5Pa-1Pa，氩气的流量为98.5sccm-99.5sccm，氧气的流量为0.5sccm-1.5sccm； 所述射频磁控溅射时采用的靶材为合金靶，所述合金靶为钒铬合金、钒铁合金或钒锗合金，所述合金靶中钒原子的质量百分比为85%-95%。

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