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龙图腾网获悉深圳市晶扬电子有限公司申请的专利一种紧凑型硅基EMI滤波器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120263129B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510320447.5，技术领域涉及：H03H1/00；该发明授权一种紧凑型硅基EMI滤波器及其制造方法是由杜飞波;李红;李硕;高东兴设计研发完成，并于2025-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种紧凑型硅基EMI滤波器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种紧凑型硅基EMI滤波器及其制造方法，包括第一低阻多晶硅层内还设有高阻多晶硅层，第一介质层、第二介质层、第一低阻多晶硅层和高阻多晶硅层能够组成C‑R‑C滤波电路，半导体硅衬底上表面设有与IO端口一相连的第一金属导电层、与IO端口二相连的第二金属导电层，半导体硅衬底还设有绝缘钝化层和接地的金属电极GND，第二低阻多晶硅层被绝缘钝化层隔断分为与信号导通部分、与金属电极GND电连接的滤波接地部分、信号导通部分，第一低阻多晶硅层与第二低阻多晶硅层的滤波接地部分之间形成有EMI滤波路径。本发明的有益效果为：能够实现大幅度减小硅基EMI滤波器的体积，降低其制造成本。

本发明授权一种紧凑型硅基EMI滤波器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种紧凑型硅基EMI滤波器，其特征在于：包括半导体硅衬底和从下而上设置在所述半导体硅衬底内的第一介质层、第一低阻多晶硅层、第二介质层和第二低阻多晶硅层，所述第一低阻多晶硅层内还设有高阻多晶硅层，所述第一介质层、所述第二介质层均能够构成滤波电容，所述高阻多晶硅层能够在所述第一低阻多晶硅层内构成滤波电阻，所述第一介质层、所述第二介质层、所述第一低阻多晶硅层和所述高阻多晶硅层能够组成C-R-C滤波电路，所述第二低阻多晶硅上表面设有与IO端口一相连的第一金属导电层、与IO端口二相连的第二金属导电层，所述第二低阻多晶硅上表面还设有绝缘钝化层和接地的金属电极GND，所述第二低阻多晶硅层被所述绝缘钝化层隔断分为与所述第一金属导电层电连接的信号导通部分、与所述金属电极GND电连接的滤波接地部分、与所述第二金属导电层电连接的信号导通部分，所述第一低阻多晶硅层设有多个深槽U型路径，所述第一低阻多晶硅层与所述第二低阻多晶硅层的滤波接地部分之间形成有EMI滤波路径，所述IO端口一与所述IO端口二之间的低频信号能够流经所述第二低阻多晶硅层、所述第一低阻多晶硅层、所述高阻多晶硅层完成信号滤波作业。

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