中国科学院上海技术物理研究所王鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种光子驻留模式增强宽谱吸收的全硅微孔结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120322056B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510477409.0，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种光子驻留模式增强宽谱吸收的全硅微孔结构及制备方法是由王鹏;邓科;胡伟达;张坤;郭家祥;肖云龙;张涛;李宁;陆卫设计研发完成，并于2025-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光子驻留模式增强宽谱吸收的全硅微孔结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于甚长波红外探测技术领域，具体涉及一种光子驻留模式增强宽谱吸收的全硅微孔结构及制备方法。本发明的全硅微孔结构从下而上依次为高纯硅衬底，重掺杂硅等离子体层，轻掺杂硅活性吸收层及本征纯硅阻挡层，还包括具有抛物线形状侧壁的周期性微孔阵列结构，且该结构嵌入到轻掺杂硅活性吸收层中。本发明所设计的具有抛物线形状侧壁的微孔阵列结构，实现了宽谱段光子的耦合，并激发了偏离垂直方向的高阶衍射模式；同时引入与全硅工艺兼容的重掺杂硅等离子体层，成功实现光子驻留模式。在上述这些设计的共同作用下，使得薄层活性吸收层在甚长波宽谱范围内的光子捕获效率达到最大化，能显著提升红外探测器、太阳能电池等光电器件性能。
本发明授权一种光子驻留模式增强宽谱吸收的全硅微孔结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光子驻留模式增强宽谱吸收的全硅微孔结构，其特征在于，所述全硅微孔结构自下而上包括高纯硅衬底1，重掺杂硅等离子体层2，轻掺杂硅活性吸收层3及本征纯硅阻挡层4，还包括全介质微结构5，所述全介质微结构5是通过深反应离子束刻蚀形成的周期性微孔，为具有抛物线形状侧壁的周期性微孔阵列，所述全介质微结构5以本征纯硅阻挡层4为起点，嵌入到材料的轻掺杂硅活性吸收层3中；所述重掺杂硅等离子体层2的掺杂元素为硼，所述轻掺杂硅活性吸收层3的掺杂元素为镓；所述全介质微结构5是对本征纯硅阻挡层4和轻掺杂硅活性吸收层3进行深反应离子束刻蚀形成的。
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