杭州开幕光子技术有限公司;浙江老鹰半导体技术有限公司莫庆伟获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州开幕光子技术有限公司;浙江老鹰半导体技术有限公司申请的专利半导体激光器、光发射组件及光模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120341693B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510799485.3，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权半导体激光器、光发射组件及光模块是由莫庆伟;陈浩;刘点昊;张杨设计研发完成，并于2025-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体激光器、光发射组件及光模块在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种半导体激光器、光发射组件及光模块。该半导体激光器包括一谐振腔结构，所述谐振腔结构包括一谐振腔，所述谐振腔用于产生驻波，所述谐振腔由底部反射镜结构和顶部反射镜结构限定；所述谐振腔内设有一多量子阱结构，所述多量子阱结构设于所述谐振腔的波峰位置；所述谐振腔的厚度被设计为小于二分之三个激射波长以提升所述半导体激光器的弛豫振荡频率。应用本申请的方案可提高驰豫振荡频率，提升器件调制带宽。
本发明授权半导体激光器、光发射组件及光模块在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，其特征在于，包括一谐振腔结构，所述谐振腔结构包括一谐振腔，所述谐振腔用于产生驻波，所述谐振腔由底部反射镜结构和顶部反射镜结构限定； 所述谐振腔内设有一多量子阱结构，所述多量子阱结构设于所述谐振腔的波峰位置；所述谐振腔的厚度被设计为小于二分之三个激射波长以提升所述半导体激光器的弛豫振荡频率； 所述多量子阱结构包括设于所述底部反射镜结构上的张应变阱层、压应变垒层、压应变阱层、张应变垒层、张应变阱层、压应变垒层和张应变阱层； 所述压应变阱层的压应变量为2%，所述压应变阱层中的铟组分含量为0.12；临近该压应变阱层的张应变垒层的压应变量为3%； 所述多量子阱结构中的其中一个张应变阱层的张应变量为2%，与其相邻的压应变垒层的压应变量为3%。
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