江南大学石刚获国家专利权
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龙图腾网获悉江南大学申请的专利一种复用性稳定的SERS传感芯片及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120558934B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511016174.1，技术领域涉及：G01N21/65；该发明授权一种复用性稳定的SERS传感芯片及其制备方法和应用是由石刚;李赢;王利魁;李新设计研发完成，并于2025-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种复用性稳定的SERS传感芯片及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种复用性稳定的SERS传感芯片及其制备方法和应用，属于光电传感器件技术领域。包括衬底；位于所述衬底表面的半导体光催化剂；位于所述半导体光催化剂表面的助氧化剂和助还原剂；与所述助还原剂在空间上所具有的暴漏位点形成共价连接的占位分子；以及，与所述助氧化剂在空间上所具有的暴漏位点形成共价连接或配位连接的模板分子；其中，所述模板分子可被光催化降解以使所述助氧化剂重新获得暴漏位点。本发明传感芯片中的模板分子可通过空间限域光催化降解快速脱除，利用无机印迹聚合物作为内标分子，提高了定量分析准确性。
本发明授权一种复用性稳定的SERS传感芯片及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种复用性稳定的SERS传感芯片，其特征在于：包括， 衬底，所述衬底为硅； 位于所述衬底表面的半导体光催化剂；所述半导体光催化剂为二氧化钛； 位于所述半导体光催化剂表面的助氧化剂和助还原剂；所述助氧化剂为三氧化二铁；所述助还原剂为银； 与所述助还原剂在空间上所具有的暴漏位点形成共价连接的占位分子；所述占位分子为C3H6S； 与所述助氧化剂在空间上所具有的暴漏位点形成共价连接或配位连接的模板分子；所述模板分子为4-ATP； 其中，所述模板分子可被光催化降解以使所述助氧化剂重新获得暴漏位点；所述暴漏位点为助还原剂表面具有与占位分子形成化学键的独立空间，以及助氧化剂表面具有与模板分子形成配位作用或化学键的独立空间，组成无分子印迹层的SiTiO2Fe2O34-ATP-AgC3H6S； 以及， 覆盖所述SiTiO2Fe2O34-ATP-AgC3H6S的MIP膜；所述MIP膜为氧化硅； 其中，所述模板分子与待测目标分子为同一物质。
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