湖南泽天智航电子技术有限公司欧阳旭华获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南泽天智航电子技术有限公司申请的专利一种基于FPGA接口的Nand flash控制器实现方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120561041B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510451903.X,技术领域涉及:G06F13/16;该发明授权一种基于FPGA接口的Nand flash控制器实现方法及系统是由欧阳旭华设计研发完成,并于2025-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于FPGA接口的Nand flash控制器实现方法及系统在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于FPGA接口的Nandflash控制器实现方法及系统,系统采用PCIE模块和多个Nandflash控制器,PCIE模块,通过PCIE接口与CPU进行连接,用于将PCIE转化为本地总线;多个Nandflash控制器,连接于PCIE模块和对应的多个Nandflash之间,用于根据不同的存储大小和速率要求,将CPU接口扩展成多路,实现CPU存储扩容和提速。本发明通过利用FPGA的可编程特性、IO管脚数量多和灵活性好,实现一种能够根据不同应用需求进行定制化开发,且具有高速数据处理能力、高可靠性和良好兼容性的ONFI1.0接口;将CPU接口进行扩展多路,实现CPU存储扩容和提速。
本发明授权一种基于FPGA接口的Nand flash控制器实现方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种基于FPGA接口的Nandflash控制器实现系统,其特征在于,包括: PCIE模块10,通过PCIE接口与CPU进行连接,用于将PCIE转化为本地总线; 多个Nandflash控制器20,连接于所述PCIE模块10和对应的多个Nandflash之间,用于根据不同的存储大小和速率要求,将CPU接口扩展成多路,实现CPU存储扩容和提速; 所述Nandflash控制器20包括flash控制寄存器21、RSECC编码模块22、RSECC解码模块23、TXFIFO模块24、RXFIFO模块25和Nandflash接口26,其中, flash控制寄存器21,用于实现本地总线对寄存器的读写操作,实现Nandflash接口的控制,实现中断; RSECC编码模块22,与所述控制寄存器21相连接,用于使用RS码对所述控制寄存器输入的数据进行编码; RSECC解码模块23,与所述Nandflash接口26相连接,用于使用RS码对所述Nandflash接口26输入的数据进行解码; TXFIFO模块24,与所述RSECC编码模块22相连接,用于发送FIFO; RXFIFO模块25,与所述RSECC解码模块23相连接,用于接收FIFO; Nandflash接口26,分别与所述TXFIFO模块24和所述RSECC解码模块23相连接,用于按照ONFI1.0标准,实现对Nandflash的操作; 所述flash控制寄存器21包括: flash列地址单元,用于列地址操作; flash行地址单元,用于行地址操作; flash控制单元,用于复位、读ID、块擦、页编程、页读取操作、状态读取操作、设置特征值操作和读取特征值操作; flash写入状态单元,用于从flash写入的状态控制; flash长度单元,用于读写flash的数据长度控制; flash数据写入单元,用于写入flash数据的控制; flash数据写入已使用深度单元,用于写入flash的数据FIFO已使用深度的控制; flash数据读出单元,用于从flash读出的数据的控制; flash数据读出已使用深度单元,用于读出flash的数据FIFO已使用深度的控制; flashID单元,用于从flash读出的ID的控制; flash读出状态单元,用于从flash读出的状态的控制。
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