合肥晶合集成电路股份有限公司邵章朋获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120711815B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511204779.3，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体器件的制造方法是由邵章朋;马亚强;张伟设计研发完成，并于2025-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有相互间隔的至少两个栅极结构，相邻两个栅极结构之间形成有沟槽；在所述衬底和所述栅极结构上形成接触孔刻蚀停止层，且接触孔刻蚀停止层中覆盖沟槽开口处的部分形成有悬突部；对所述悬突部进行离子注入工艺，于悬突部中注入掺杂离子；对所述接触孔刻蚀停止层进行等离子体处理，将接触孔刻蚀停止层中远离衬底的部分转化为牺牲氧化层，且接触孔刻蚀停止层中远离衬底的部分包括至少部分悬突部；去除牺牲氧化层，以扩大所述开口处的宽度。本申请减小或消除了接触孔刻蚀停止层中产生的悬突现象对后续工艺制程的负面影响，避免了在沟槽中填充层间介质层时产生空洞的风险。
本发明授权半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有相互间隔的至少两个栅极结构，相邻两个所述栅极结构之间形成有沟槽； 在所述衬底和所述栅极结构上形成接触孔刻蚀停止层，所述接触孔刻蚀停止层的材料包括氮化硅，且所述接触孔刻蚀停止层中覆盖所述沟槽的开口处的部分形成有悬突部； 对所述悬突部进行离子注入工艺，于所述悬突部中注入掺杂离子，且所述掺杂离子具有强氧化性； 对所述接触孔刻蚀停止层进行等离子体处理，以将所述接触孔刻蚀停止层中远离所述衬底的部分转化为牺牲氧化层，且所述接触孔刻蚀停止层中远离所述衬底的部分包括至少部分所述悬突部； 去除所述牺牲氧化层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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