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龙图腾网获悉内蒙古大学申请的专利一种外延生长100平方厘米级垂直排列介孔单晶二氧化钛薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120719380B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511153182.0，技术领域涉及：C30B5/00；该发明授权一种外延生长100平方厘米级垂直排列介孔单晶二氧化钛薄膜及其制备方法是由兰坤;李佳龙;温旭;赵东元设计研发完成，并于2025-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种外延生长100平方厘米级垂直排列介孔单晶二氧化钛薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种外延生长100平方厘米级垂直排列介孔单晶二氧化钛薄膜及其制备方法，涉及功能介孔材料制备领域。本发明旨在解决原子尺度单晶生长与介观尺度自组装的动力学不兼容问题。其方法是：采用一种基于溶液体系的外延生长策略，利用预先形成的稳定F127TiO2复合胶束作为构筑块，在FTO玻璃衬底上进行定向自组装，并同步实现单晶外延生长，从而将介观结构形成与单晶生长过程兼顾。本发明制备的薄膜具有001择优取向的单晶金红石骨架及垂直排列的介孔通道，且厚度、孔径和结晶度可精确调控。该薄膜具有增强的电荷与物质传输性能，在光电催化、光伏和传感领域具有应用前景。

本发明授权一种外延生长100平方厘米级垂直排列介孔单晶二氧化钛薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种外延生长100平方厘米级垂直排列介孔单晶二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1，配制介孔二氧化钛前驱体溶液，并制备复合软胶束水凝胶； 步骤S2，将清洁的FTO玻璃衬底导电面倾斜向下置于上述复合软胶束水凝胶体系中水热反应，得到低结晶的垂直排列介孔二氧化钛薄膜； 步骤S3，将所述低结晶的垂直排列介孔二氧化钛薄膜进行煅烧，即得所述100平方厘米级垂直排列介孔单晶二氧化钛薄膜； 所述步骤S1中介孔二氧化钛前驱体溶液的配制过程为：将F127溶解于四氢呋喃中，持续搅拌至溶解，得到模板剂F127溶液，F127在四氢呋喃中的浓度为33-49gL；向所述模板剂F127溶液加入冰醋酸，得到混合溶液一，冰醋酸在混合溶液一中的浓度为0.05-0.10gmL；向所述混合溶液一中加入浓盐酸，搅拌至溶液澄清，得到混合溶液二，浓盐酸在混合溶液二中的浓度为0.03-0.15gmL；向所述混合溶液二加入钛酸四丁酯，室温搅拌至澄清，得到所述介孔二氧化钛前驱体溶液，钛酸四丁酯在其中的浓度为0.01-0.20gmL； 所述步骤S1中复合软胶束水凝胶的制备过程为：将所述介孔二氧化钛前驱体溶液置于相对湿度小于40%的电热鼓风干燥箱中，在30-50℃下蒸发溶剂10-30h，即得所述复合软胶束水凝胶； 所述步骤S2中水热反应合成低结晶的垂直排列介孔二氧化钛的具体步骤为：将所述复合软胶束水凝胶加入到高压水热釜的特氟龙内衬中，FTO玻璃衬底导电面向下倾斜插入到所述复合软胶束水凝胶中，并完全浸没；将装有所述复合软胶束水凝胶和FTO玻璃衬底的高压水热釜放在70-180℃的电热鼓风干燥箱中反应3-48h，即得低结晶的垂直排列介孔二氧化钛； 所述步骤S3中煅烧的温度为350-600℃，升温程序为1-3℃min，煅烧时间为3-6h。

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