金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司梁兴勃获国家专利权
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龙图腾网获悉金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司申请的专利一种重掺硼直拉硅外延片的内吸杂工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120719393B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511151921.2，技术领域涉及：C30B25/20；该发明授权一种重掺硼直拉硅外延片的内吸杂工艺是由梁兴勃;殷玉娜;杨爱兵;卢飞红;高鹏飞设计研发完成，并于2025-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种重掺硼直拉硅外延片的内吸杂工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种重掺硼直拉硅外延片的内吸杂工艺，包括步骤：1将重掺硼直拉硅片在惰性气氛下进行高温预处理，包括依次进行高温快速热处理和高温普通热处理；2硅片进行抛光消除表面损伤层；3沉积轻掺外延层或本征外延层制得所述外延片。所述外延片在氧气气氛下进行器件制造热工艺模拟后，能在衬底近表面形成10μm的洁净区、衬底体内形成BMD密度≥5×109cm‑3的内吸杂区；该洁净区保障了外延层晶体质量、防止缺陷延伸至有源区；内吸杂区增强了器件对金属杂质的内吸杂能力，降低漏电流。采用本发明的方法形成外延片的衬底可取自重掺硼直拉硅单晶锭的任何位置，统一了工艺、降低了工艺集成复杂度且减少了晶锭的浪费。
本发明授权一种重掺硼直拉硅外延片的内吸杂工艺在权利要求书中公布了：1.一种重掺硼直拉硅外延片的内吸杂工艺，其特征在于，包括以下步骤： 1将重掺硼直拉硅抛光片置于氩气或氮气气氛下进行高温预处理，所述的高温预处理为首先进行高温快速热处理、然后进行高温普通热处理； 其中所述重掺硼直拉硅抛光片指：直拉重掺硼硅单晶锭经过切片、研磨、化学腐蚀、抛光及清洗获得的具有镜面表面的单晶硅片； 2将经步骤1处理的抛光片进行化学机械抛光的返抛工艺，去除表面损伤层，得到重掺硼硅衬底； 3重掺硼硅衬底置于外延炉中进行外延沉积，得到所述重掺硼直拉硅外延片； 其中，步骤1中所述高温快速热处理的处理温度为1200～1300℃，升温速率和降温速率为10℃-120℃s； 所述高温普通热处理的升温速率和降温速率不超过20℃min，热处理的温度1100～1250℃； 所述重掺硼直拉硅抛光片的电阻率≥7mΩ·cm。
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