浙江大学杭州国际科创中心韩学峰获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利用于制备多晶碳化硅的装置和方法、多晶碳化硅及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120719394B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511234159.4，技术领域涉及：C30B28/12；该发明授权用于制备多晶碳化硅的装置和方法、多晶碳化硅及其应用是由韩学峰;王安琦;许彬杰;皮孝东;杨德仁设计研发完成，并于2025-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制备多晶碳化硅的装置和方法、多晶碳化硅及其应用在说明书摘要公布了：本申请涉及用于制备多晶碳化硅的装置和方法、多晶碳化硅及其应用。该装置包括：坩埚；石墨基板，设置于坩埚且位于坩埚的上部；气道结构，设置于坩埚，用于向坩埚内通气；挡板，设置于坩埚内，与石墨基板具有间隔且投影覆盖石墨基板，挡板与坩埚的底壁具有间隔；以及加热器，设置于坩埚，且位置低于挡板。该装置可以用于制造电阻率低的多晶碳化硅。
本发明授权用于制备多晶碳化硅的装置和方法、多晶碳化硅及其应用在权利要求书中公布了：1.用于制备多晶碳化硅的装置，其特征在于，包括： 坩埚； 石墨基板，设置于所述坩埚且位于所述坩埚的上部； 气道结构，设置于所述坩埚，用于向所述坩埚内通气； 挡板，设置于所述坩埚内，与所述石墨基板具有间隔且投影覆盖所述石墨基板，所述挡板与所述坩埚的底壁具有间隔；以及 加热器，设置于所述坩埚，且位置低于所述挡板。
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