合肥晶合集成电路股份有限公司大﨑秀史获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利电路设计方法、电路设计辅助装置、存储介质和程序产品获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120724927B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511234279.4,技术领域涉及:G06F30/30;该发明授权电路设计方法、电路设计辅助装置、存储介质和程序产品是由大﨑秀史设计研发完成,并于2025-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本电路设计方法、电路设计辅助装置、存储介质和程序产品在说明书摘要公布了:提供一种电路设计方法、电路设计辅助装置、计算机可读存储介质和计算机程序产品。电路设计方法,电路设计方法包括:响应于用户的操作,获取目标电路中的电路元件被配置的位置;根据电路元件被配置的位置,确定电路元件所在的电压区域;根据电压区域,调整电路元件的参数约束条件,参数约束条件用于约束电路元件中的参数值的范围;根据电压区域,调整电路元件的参数值,调整后的电路元件的参数值满足参数约束条件。本申请能够提高电路设计效率。
本发明授权电路设计方法、电路设计辅助装置、存储介质和程序产品在权利要求书中公布了:1.一种电路设计方法,其特征在于,用于辅助半导体电路中的电路元件的配置,所述电路设计方法包括: 响应于用户的操作,获取目标电路中的电路元件被配置的位置; 根据所述电路元件被配置的位置,确定所述电路元件所在的电压区域; 根据所述电压区域,调整所述电路元件的参数约束条件,所述参数约束条件用于约束所述电路元件中的参数值的范围; 根据所述电压区域,调整电路元件的参数值,调整后的电路元件的参数值满足所述参数约束条件; 根据所述电路元件被配置的位置,确定所述电路元件所在的电压区域,包括: 确定所述电路元件被配置的位置属于所述半导体电路的哪个电压区域;所述半导体电路包括具有不同电压水平的至少两个电压区域。
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