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龙图腾网获悉国科大杭州高等研究院申请的专利基于电光聚合物调制的量子点-光子晶体强耦合器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120750537B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511220336.3，技术领域涉及：H04L9/08；该发明授权基于电光聚合物调制的量子点-光子晶体强耦合器件及制备方法是由胡钗;邱枫设计研发完成，并于2025-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于电光聚合物调制的量子点-光子晶体强耦合器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于量子通信与量子信息处理领域，公开了一种基于电光聚合物调制的量子点‑光子晶体强耦合器件及制备方法，包括底层硅衬底、二氧化硅氧化层、顶层硅轻掺杂区和顶层硅重掺杂区、金属电极、发光层、电光聚合物层、ITO透明导电电极层。本发明的聚合物电光调制器凭借高速动态调控、超低功耗、优异集成能力与宽波段适用性等优势，为量子点与光学微腔的强耦合调控提供了高效解决方案，正推动量子通信从实验室研究迈向规模化应用，为量子密钥分发、量子纠缠分发乃至量子互联网的构建奠定坚实的技术基础。

本发明授权基于电光聚合物调制的量子点-光子晶体强耦合器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于电光聚合物调制的量子点-光子晶体强耦合器件，其特征在于，包括： 底层硅衬底1； 二氧化硅氧化层2，所述二氧化硅氧化层2设置于底层硅衬底1上端； 顶层硅轻掺杂区3和顶层硅重掺杂区4，所述顶层硅轻掺杂区3和顶层硅重掺杂区4共同设置于二氧化硅氧化层2上端，两者相邻设置，所述顶层硅轻掺杂区3中刻蚀有光子晶体孔阵列结构，以形成光学微腔； 金属电极5，所述金属电极5设置于顶层硅重掺杂区4上，用于形成底部电接触； 发光层6，所述发光层6设置于顶层硅轻掺杂区3的光子晶体结构上端，所述发光层6包含能够与所述光学微腔发生强耦合的量子点； 电光聚合物层7，所述电光聚合物层7设置于发光层6的上端，所述电光聚合物层7为由介质极化处理而具备二阶非线性光学特性的聚合物材料构成，其折射率响应于外加电场而变化；以及 ITO透明导电电极层8，所述ITO透明导电电极层8设置于电光聚合物层7上端，用于形成顶部电接触； 所述金属电极5与所述ITO透明导电电极层8构成一对垂直电极，用于在所述电光聚合物层7中施加垂直于衬底的调制电场，通过改变所述电光聚合物层7的折射率来调控所述光学微腔的共振模式，进而实现对该光学微腔与量子点之间强耦合状态的动态电学调制。

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