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龙图腾网获悉广东芯粤能半导体有限公司申请的专利功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120769540B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511271854.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权功率器件及其制备方法是由余开庆;曾祥;相奇;彭天智;李恬恬设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种功率器件及其制备方法，器件包括：衬底，以及位于衬底的第一表面上依次层叠的第一外延层、第二外延层；第二外延层内包括经由第二外延层的顶面沿朝向衬底的第一方向延伸，且沿平行于第一表面的第二方向间隔排列的多个分裂栅，以及与分裂栅接触连接的离子柱；分裂栅内包括沿第二方向间隔排列的子栅，包围子栅的外表面的介质层；其中，介质层包括位于相邻子栅之间的延伸部；离子柱位于一对一设置的延伸部的正下方，且沿第一方向延伸至第一外延层内；离子柱的导电类型与第一外延层、第二外延层的导电类型相反。能够有效地改善击穿电压和比导通电压的折中关系的同时，降低其开关功耗。

本发明授权功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率器件，其特征在于，包括：衬底，以及位于所述衬底的第一表面上依次层叠的第一外延层、第二外延层；所述第二外延层的掺杂浓度大于所述第一外延层的掺杂浓度； 所述第二外延层内包括经由所述第二外延层的顶面沿朝向所述衬底的第一方向延伸，且沿平行于所述第一表面的第二方向间隔排列的多个分裂栅，以及与所述分裂栅接触连接的离子柱；所述分裂栅的栅沟槽由一步刻蚀成型，且沿所述第二方向的尺寸在第一方向上先保持相同随后逐渐减小，其底面在所述第一外延层的顶面之上； 所述分裂栅内包括沿所述第二方向间隔排列的子栅，包围所述子栅的外表面的介质层；其中，所述介质层包括位于相邻所述子栅之间的延伸部；所述延伸部内包括经由所述延伸部顶面向所述延伸部内延伸的金属源极； 所述离子柱位于一对一设置的所述延伸部的正下方，基于掩膜层，对所述栅沟槽采用离子注入工艺形成，且沿所述第一方向延伸至所述第一外延层内；所述离子柱的导电类型与所述第一外延层、所述第二外延层的导电类型相反；其中，刻蚀所述掩膜层所需的光罩与形成所述延伸部时所需的光罩相同。

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