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龙图腾网获悉广东匠芯创科技有限公司申请的专利电平移位电路及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120811361B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511308869.7，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权电平移位电路及电子设备是由李天柱;原顺;王大志设计研发完成，并于2025-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本电平移位电路及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提出一种电平移位电路及电子设备，应用于集成电路技术领域，包括：第一晶体管模块、第二晶体管模块和波形整形模块，第二晶体管模块与第一晶体管模块连接，波形整形模块分别与第一晶体管模块和第二晶体管模块连接；其中，第二晶体管模块包括第一PMOS管M1和第二PMOS管M2，第一PMOS管M1和第二PMOS管M2分别与第一晶体管模块连接，第一PMOS管M1和第二PMOS管M2的宽长比取值位于预设范围内。由于本申请的第一PMOS管M1和第二PMOS管M2的宽长比取值位于预设范围内，因此，能够使第一PMOS管M1和第二PMOS管M2在导通状态下阻抗值较大，从而能够使得第一PMOS管M1的输出端和第二PMOS管M2的输出端的电平翻转速度提高，进而通过波形整形电路实现电平转换。

本发明授权电平移位电路及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种电平移位电路，其特征在于，包括： 波形整形模块，包括第一反相器和第二反相器； 第一晶体管模块，包括第一NMOS管M3、第二NMOS管M4、第三NMOS管M5和第四NMOS管M6，所述第一NMOS管M3的控制端与所述第二NMOS管M4的控制端连接，所述第一NMOS管M3的输入端与所述第一反相器的输入端连接，所述第一NMOS管M3的输出端和所述第二NMOS管M4的输出端均与地连接；所述第三NMOS管M5的控制端与所述第四NMOS管M6的控制端连接，所述第四NMOS管M6的输入端与所述第二反相器的输入端连接，所述第三NMOS管M5的输出端和所述第四NMOS管M6的输出端均与地连接；所述第一NMOS管M3的控制端和所述第二NMOS管M4的控制端用于输入第一输入信号，所述第三NMOS管M5的控制端和所述第四NMOS管M6的控制端用于输入第二输入信号； 第二晶体管模块，包括第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第三PMOS管M7、第四PMOS管M8、第五PMOS管M9和第六PMOS管M10，所述第一PMOS管M1的输出端与所述第二NMOS管M4的输入端连接，所述第一PMOS管M1的输入端与电源连接；所述第二PMOS管M2的输出端与所述第三NMOS管M5的输入端连接，所述第二PMOS管M2的输入端与电源连接；所述第三PMOS管M7的控制端和输出端分别与所述第二NMOS管M4的输入端连接，所述第三PMOS管M7的输入端与所述第四PMOS管M8的输出端连接；所述第四PMOS管M8的控制端与所述第一PMOS管M1的控制端连接，所述第四PMOS管M8的输入端与电源连接；所述第五PMOS管M9的控制端和输出端分别与所述第三NMOS管M5的输入端连接，所述第五PMOS管M9的输入端与所述第六PMOS管M10的输出端连接；所述第六PMOS管M10的控制端与所述第二PMOS管M2的控制端连接，所述第六PMOS管M10的输入端与电源连接；所述第三PMOS管M7的控制端还与所述第六PMOS管M10的控制端连接，所述第五PMOS管M9的控制端还与所述第四PMOS管M8的控制端连接；所述第四PMOS管M8的输出端还与所述第一反相器的输入端连接，所述第六PMOS管M10的输出端还与所述第二反相器的输入端连接，其中，所述第一PMOS管M1和所述第二PMOS管M2的宽长比取值位于预设范围内。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东匠芯创科技有限公司，其通讯地址为：519000 广东省珠海市横琴新区环岛北路2515号2单元1901办公；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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