合肥晶合集成电路股份有限公司何讯超获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利图像传感器及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120813083B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511263404.4，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权图像传感器及其制备方法、电子设备是由何讯超;谢荣源;马忠祥;都智设计研发完成，并于2025-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种图像传感器及其制备方法、电子设备，包括：提提供像素阵列；基于灰阶掩膜版形成覆盖像素阵列的第一光阻层；灰阶掩膜版包括中心区，以及环绕中心区且沿中心区的径向分布的多个外围区；中心区及多个外围区的透光率不同；于第一光阻层顶面形成沿背离像素阵列的方向依次层叠的第二光阻层及抗反射层；其中，第二光阻层包括中心部和沿远离中心部方向依次排列的多个外围部，入射光经由中心部生成第一透射光，经由外围部生成第二透射光；第一透射光和第二透射光的光强差值位于预设范围以内。通过工艺结构改造可以改善CMOS图像传感器光强分布不均和ColorShading的问题，提升图像传感器质量。
本发明授权图像传感器及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器制备方法，其特征在于，包括： 提供像素阵列； 基于灰阶掩膜版形成覆盖所述像素阵列的第一光阻层；所述灰阶掩膜版包括中心区，以及环绕所述中心区且沿所述中心区的径向分布的多个外围区；所述中心区与所述多个外围区的透光率不同； 于所述第一光阻层顶面形成沿背离所述像素阵列的方向依次层叠的第二光阻层及抗反射层； 其中，所述第二光阻层包括中心部和沿远离所述中心部方向依次排列的多个外围部，入射光经由所述中心部生成第一透射光，经由所述外围部生成第二透射光；所述第一透射光和所述第二透射光的光强差值位于预设范围以内。
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