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龙图腾网获悉江西乾照光电有限公司申请的专利一种LED外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120813136B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511292427.8，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种LED外延结构及其制备方法是由袁健;崔晓慧;翁聪;刘兆;王烨东设计研发完成，并于2025-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种LED外延结构及其制备方法，采用MOCVD方法沉积生长外延结构，外延结构包括衬底，以及在衬底上以第一方向依次设置的N型半导体层、量子点有源层、P型半导体层；其中，所述量子点有源层包括沿第一方向依次设置的InN蓝光量子点有源层、InN绿光量子点有源层、InN红光量子点有源层，本申请设置多层InN量子点有源层来实现多波长发光，且有效抑制传统结构带来的密度缺陷，并通过不同的量子点尺寸、量子点阱层厚度、Al组分设置来调节光谱，使LED器件发光均匀。

本发明授权一种LED外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED外延结构，其特征在于：包括衬底，以及在衬底上以第一方向依次设置的N型半导体层、量子点有源层、P型半导体层；其中，所述量子点有源层包括沿第一方向依次设置的InN蓝光量子点有源层、InN绿光量子点有源层、InN红光量子点有源层，所述第一方向垂直所述衬底； 所述InN蓝光量子点有源层包括层叠设置的至少一第一InN量子点阱层和GaN垒层，所述InN绿光量子点有源层包括层叠设置的至少一第二InN量子点阱层和AlxGa1-xNGaN垒层，所述InN红光量子点有源层包括层叠设置的至少一第三InN量子点阱层和AlyInzGa1-y-zNAlwGa1-wNGaN垒层，其中，0.1≤xyw≤0.5,0.1z≤0.5，yz，利用Al的势垒高度来调节载流子的分布； 所述InN蓝光量子点有源层、InN绿光量子点有源层、InN红光量子点有源层的量子点直径依次为a、b、c，且2nm≤abc≤15nm； 所述第一InN量子点阱层、第二InN量子点阱层和第三InN量子点阱层的厚度依次为l、m、n，且20nm≤lmn≤50nm。

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