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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种GaN基梯度掺杂极紫外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120857653B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511361899.4，技术领域涉及：H10F30/223；该发明授权一种GaN基梯度掺杂极紫外探测器及其制备方法是由蒋科;乔广辉;孙晓娟;黎大兵;吕顺鹏;贲建伟;张山丽;王炳翔设计研发完成，并于2025-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN基梯度掺杂极紫外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，提供一种GaN基梯度掺杂极紫外探测器及其制备方法。GaN基梯度掺杂极紫外探测器，包括衬底、GaN缓冲层、n‑GaN层、i‑GaN层、n型电极、梯度掺杂p‑GaN层、p型电极，由梯度掺杂p‑GaN层靠近p型电极的表面至远离p型电极的表面的方向上，梯度掺杂p‑GaN层的掺杂浓度逐渐降低；本发明的GaN基梯度掺杂极紫外探测器，利用梯度掺杂p‑GaN层会诱导一个表面电场，该电场可以驱动光子激发的电子‑空穴对分离，从而显著提高EUV波段的表面载流子收集能力；利用梯度掺杂p‑GaN层形成的表面电场，提高了探测器的光电流及响应度，这一结构在极紫外GaN基探测器中有着广阔的应用前景。

本发明授权一种GaN基梯度掺杂极紫外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基梯度掺杂极紫外探测器，其特征在于，包括： 衬底； GaN缓冲层，位于所述衬底表面； n-GaN层，位于所述GaN缓冲层远离所述衬底的表面； i-GaN层，位于所述n-GaN层远离所述衬底的表面； n型电极，位于所述n-GaN层远离所述衬底的表面，所述i-GaN层、n型电极分别位于所述n-GaN层表面两侧； 梯度掺杂p-GaN层，位于所述i-GaN层远离所述衬底的表面； p型电极，位于所述梯度掺杂p-GaN层远离所述衬底的表面； 其中，由所述梯度掺杂p-GaN层靠近所述p型电极的表面至远离所述p型电极的表面的方向上，所述梯度掺杂p-GaN层的掺杂浓度逐渐降低； 所述梯度掺杂p-GaN层作为极紫外探测器的吸收层，吸收紫外信号；所述梯度掺杂p-GaN层与p型电极形成低势垒肖特基接触；所述梯度掺杂p-GaN层诱导一个表面电场，该电场驱动光子激发的电子-空穴对分离，从而显著提高EUV波段的表面载流子收集能力。

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