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龙图腾网获悉上海圣永丞半导体科技有限公司申请的专利基于LCVD法制备石墨烯金刚石空心钻头的方法、钻头及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120866794B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511383512.5，技术领域涉及：C23C16/27；该发明授权基于LCVD法制备石墨烯金刚石空心钻头的方法、钻头及应用是由周荣华设计研发完成，并于2025-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于LCVD法制备石墨烯金刚石空心钻头的方法、钻头及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及超硬材料加工领域，公开了一种基于LCVD法制备石墨烯金刚石空心钻头的方法、钻头及应用。该方法包括以下步骤：基体预处理；催化剂负载：将预处理后的基体浸入硝酸镍溶液中，超声处理使镍离子均匀吸附在基体表面；然后将基体取出；石墨烯生长：将负载催化剂的基体放入LCVD反应室中，抽真空后通入氩气和氢气，将基体加热，然后通入甲烷气体，开启脉冲激光，在基体表面生长石墨烯薄膜；金刚石沉积：关闭甲烷气体，通入氢气和甲烷混合气体，将基体降温，开启脉冲激光，在石墨烯薄膜表面沉积金刚石薄膜；后处理。本发明的方法工艺简单、成本低、效率高，制备的钻头具有优异的耐磨性、韧性和使用寿命。

本发明授权基于LCVD法制备石墨烯金刚石空心钻头的方法、钻头及应用在权利要求书中公布了：1.一种基于LCVD法制备石墨烯金刚石空心钻头的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，基体预处理，所述基体为碳纤维空心基体； 步骤2，催化剂负载：将预处理后的基体浸入硝酸镍溶液中，超声处理使镍离子均匀吸附在基体表面；然后将基体取出，洗涤，干燥； 步骤3，石墨烯生长：将负载催化剂的基体放入LCVD反应室中，抽真空至10-3Pa，通入氩气和氢气，流量分别为100sccm和50sccm，将基体加热至800℃；然后通入甲烷气体，流量为10~15sccm，开启脉冲激光，激光波长为1064nm，脉冲宽度为10ns，重复频率为10Hz，能量密度为2Jcm2，在基体表面生长石墨烯薄膜，生长时间为20~30分钟； 通入的甲烷气体流量随时间呈梯度变化，初始通入甲烷气体的流量为10sccm，随后在10分钟内线性增加至15sccm，然后继续生长10~20分钟； 步骤4，金刚石沉积：关闭甲烷气体，通入氢气和甲烷混合气体，流量分别为200~250sccm和20~40sccm，将基体温度降至700℃；开启脉冲激光，激光波长为1064nm，脉冲宽度为10ns，重复频率为10Hz，能量密度为1.5~2.5Jcm2，在石墨烯薄膜表面沉积金刚石薄膜，沉积时间为1.5~2小时； 步骤5，后处理。

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