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龙图腾网获悉上海领耐半导体技术有限公司申请的专利组对结构的单管闪存阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120881996B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511403639.9，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权组对结构的单管闪存阵列是由薛磊;金波设计研发完成，并于2025-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本组对结构的单管闪存阵列在说明书摘要公布了：本发明提供一种组对结构的单管闪存阵列。该组对结构的单管闪存阵列中，基底包括多个有源区以及隔离结构，一个有源区包括沿第一方向延伸的多个第一段以及沿第二方向延伸的多个第二段，第一段和第二段在有源区的延伸方向上交替排布且均相对于有源区的延伸方向倾斜；一个第一段和一个第二段上分别设置一个组对存储单元，同一有源区上的多个组对存储单元为一列；一个组对存储单元包括源极相连接的两个存储管；多条位线沿着有源区的延伸方向延伸，两条位线为一组，组对存储单元的一个存储管的漏极与一组位线中的一条连接且另一个存储管的漏极与一组位线中的另一条连接。这样可以缩小有源区的宽度，为闪存阵列的进一步微缩提供便利。

本发明授权组对结构的单管闪存阵列在权利要求书中公布了：1.一种组对结构的单管闪存阵列，其特征在于，包括： 基底，其包括多个有源区以及分隔多个所述有源区的隔离结构，一个所述有源区包括沿第一方向延伸的多个第一段以及沿第二方向延伸的多个第二段，所述第一段和所述第二段在所述有源区的延伸方向上交替排布且彼此连续延伸，所述第一方向和所述第二方向均相对于所述有源区的延伸方向倾斜，所述第一方向和所述第二方向之间的夹角大于0度且小于180度；多个所述有源区在所述基底中平行排布； 多个组对存储单元，一个所述第一段和一个所述第二段上分别设置一个所述组对存储单元，同一所述有源区上的多个所述组对存储单元为一列，不同所述有源区的位置对应的多个所述组对存储单元为一行；一个所述组对存储单元包括源极相连接的两个存储管；以及 多条位线，其位于所述基底上且沿着所述有源区的延伸方向延伸，两条所述位线为一组，一列所述组对存储单元对应连接一组所述位线，所述组对存储单元的一个存储管的漏极与对应的一组所述位线中的一条连接且另一个存储管的漏极与对应的一组所述位线中的另一条连接。

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