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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种TNPC电路的SiC MOSFET硬开关损耗计算方法及测试装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120891349B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511425313.6，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种TNPC电路的SiC MOSFET硬开关损耗计算方法及测试装置是由徐千鸣;王泽通;唐成;魏伊杨;郭鹏;徐马龙设计研发完成，并于2025-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TNPC电路的SiC MOSFET硬开关损耗计算方法及测试装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种TNPC电路的SiCMOSFET硬开关损耗计算方法及测试装置，所公开的TNPC电路的SiCMOSFET硬开关损耗计算方法包括：通过向TNPC电路中的当前被测器件施加关断脉冲信号控制当前标定器件的沟道关断，并获取当前被测器件在关断过程中的当前关断电压特征参数；通过向当前被测器件施加开启脉冲信号控制标定器件的沟道开启，并获取当前被测器件在开启过程中的当前开通电压特征参数；获取硬开关损耗计算模型；将当前关断电压特征参数以及当前开通电压特征参数均代入硬开关损耗计算模型进行计算，得到当前被测器件的硬开关损耗。本申请对TNPC电路的改动较小，有效降低了TNPC电路的复杂程度。

本发明授权一种TNPC电路的SiC MOSFET硬开关损耗计算方法及测试装置在权利要求书中公布了：1.一种TNPC电路的SiCMOSFET硬开关损耗计算方法，其特征在于，所述方法包括： 通过向TNPC电路中的当前被测器件施加关断脉冲信号控制所述当前被测器件的沟道关断，并获取所述当前被测器件在关断过程中的当前关断电压特征参数，所述当前被测器件为所述TNPC电路中所需测量的SiCMOSFET； 通过向所述当前被测器件施加开启脉冲信号控制所述当前被测器件的沟道开启，并获取所述当前被测器件在开启过程中的当前开通电压特征参数； 获取硬开关损耗计算模型，所述硬开关损耗计算模型预先基于标定器件在硬关断时段内的关断电压特征参数以及硬开通时段内的开通电压特征参数构建，所述硬开关损耗计算模型表征所述关断电压特征参数与硬开关损耗之间的映射关系以及所述开通电压特征参数与所述硬开关损耗之间的映射关系，所述标定器件为所述TNPC电路中构建硬开关损耗计算模型的SiCMOSFET； 将所述当前关断电压特征参数以及所述当前开通电压特征参数均代入所述硬开关损耗计算模型进行计算，得到所述当前被测器件的硬开关损耗； 所述获取硬开关损耗计算模型的步骤之前，还包括： 获取所述标定器件在关断过程中的关断电压特征参数； 获取所述标定器件在开通过程中的开通电压特征参数； 确定所述标定器件的硬关断时段以及所述标定器件的硬开通时段； 根据所述关断电压特征参数确定所述标定器件在所述硬关断时段内的硬关断损耗计算模型； 根据所述开通电压特征参数确定所述标定器件在所述硬开通时段内的硬开通损耗计算模型； 根据所述硬关断损耗计算模型以及所述硬开通损耗计算模型确定硬开关损耗计算模型。

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