上海华岭集成电路技术股份有限公司;上海张江芯享测半导体科技有限公司杨自洪获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华岭集成电路技术股份有限公司;上海张江芯享测半导体科技有限公司申请的专利基于主动泄放与分段控制的电流测试放电方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120915112B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511429772.1，技术领域涉及：H02M1/32；该发明授权基于主动泄放与分段控制的电流测试放电方法及系统是由杨自洪;佘海霞;吴钇红设计研发完成，并于2025-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于主动泄放与分段控制的电流测试放电方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于主动泄放与分段控制的电流测试放电方法及系统，方法包括：在芯片电流测试完成后，监测储能电容的电压；当所述电压大于第一阈值时，进入恒流泄放模式，在所述恒流泄放模式下，根据所述电压值调节MOS管栅极电压，维持泄放电流恒定为设定值；继续监测所述储能电容的电压，当电压小于第一阈值且大于第二阈值时，切换至指数衰减模式，在所述指数衰减模式下，继续调节所述MOS管栅极电压；当电压小于所述第二阈值时关闭所述MOS管，完成放电过程。通过恒流泄放和指数衰减两阶段的精确控制，有效改善传统放电方式存在的能量释放不均匀、瞬态冲击大、放电时间长等技术问题。
本发明授权基于主动泄放与分段控制的电流测试放电方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于主动泄放与分段控制的电流测试放电方法，其特征在于，包括： 在芯片电流测试完成后，监测储能电容的电压； 当所述电压大于第一阈值时，进入恒流泄放模式，在所述恒流泄放模式下，根据所述电压调节MOS管栅极电压，维持泄放电流恒定为设定值； 继续监测所述储能电容的电压，当电压小于第一阈值且大于第二阈值时，切换至指数衰减模式，在所述指数衰减模式下，继续调节所述MOS管栅极电压； 当电压小于所述第二阈值时关闭所述MOS管，完成放电过程； 所述MOS管包括第一MOS管和第二MOS管； 在所述恒流泄放模式下，使用所述第一MOS管进行放电并调节其栅极电压； 当切换至所述指数衰减模式时，关闭所述第一MOS管并开启所述第二MOS管，通过调节所述第二MOS管的栅极电压实现指数衰减放电。
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