天合光能股份有限公司薛登帅获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池和太阳能电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120936144B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511478692.5，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权太阳能电池和太阳能电池的制备方法是由薛登帅;简磊;张孝设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池和太阳能电池的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种太阳能电池和太阳能电池的制备方法，涉及光伏技术领域，该种太阳能电池包括：硅衬底，具有相对的第一表面和第二表面；第一掺杂层和第一钝化层，依次设置在第一表面上；第二掺杂层和第二钝化层，依次设置在第二表面上，第一掺杂层的掺杂类型与第二掺杂层的掺杂类型相反；第一电极和第二电极，分别与第一掺杂层和第二掺杂层电连接，其中，i第一电极位于第一掺杂层与第一钝化层之间，且第一电极的一部分突出于太阳能电池的一侧面，和或ii第二电极位于第二掺杂层与第二钝化层之间，且第二电极的一部分突出于太阳能电池的另一侧面。
本发明授权太阳能电池和太阳能电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 硅衬底，具有相对的第一表面和第二表面； 第一掺杂层和第一钝化层，依次设置在所述第一表面上； 第二掺杂层和第二钝化层，依次设置在所述第二表面上，所述第一掺杂层的掺杂类型与所述第二掺杂层的掺杂类型相反； 第一电极和第二电极，分别与所述第一掺杂层和所述第二掺杂层电连接，其中，i所述第一电极位于所述第一掺杂层与所述第一钝化层之间，且所述第一电极具有突出于所述太阳能电池的一侧面的第一凸出部，所述第一钝化层覆盖所述第一电极中除所述第一凸出部以外的部分，所述第一电极包括第一金属丝网，所述第一金属丝网中的金属丝在所述硅衬底上的投影的宽度为20nm~100nm，和或ii所述第二电极位于所述第二掺杂层与所述第二钝化层之间，且所述第二电极具有突出于所述太阳能电池的另一侧面的第二凸出部，所述第二钝化层覆盖所述第二电极中除所述第二凸出部以外的部分，所述第二电极包括第二金属丝网，所述第二金属丝网中的金属丝在所述硅衬底上的投影的宽度为20nm~100nm。
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