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龙图腾网获悉东莘电磁科技(成都)有限公司;中国空间技术研究院申请的专利一种基于像素化投影的物理光学散射场计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120974564B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511494036.4，技术领域涉及：G06F30/10；该发明授权一种基于像素化投影的物理光学散射场计算方法是由李冰;李尧尧;郑建东设计研发完成，并于2025-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于像素化投影的物理光学散射场计算方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于像素化投影的物理光学散射场计算方法，属于计算电磁学领域，计算方法包括：获取目标三维CAD模型后进行相应设置参数，并将目标进行曲面投影生成投影区域；将投影区域进行像素化离散并进行曲率约束，计算像素点的辐射函数并构建辐射图像；对每个像素点通过闭式表达式计算震荡积分，并通过GPU并行架构计算得到总散射场后输出。本发明基于物理光学PO基本理论，该方法在满足PO适用条件的前提下，能保证较高的计算精度。像素化投影方式能够更精细地描述目标的几何细节和表面特性，从而更准确地模拟复杂形状、边缘效应以及非均匀材料表面的散射行为，提升了方法对实际工程目标的适用性和计算结果的可靠性。

本发明授权一种基于像素化投影的物理光学散射场计算方法在权利要求书中公布了：1.一种基于像素化投影的物理光学散射场计算方法，其特征在于：所述计算方法包括： 步骤一、获取目标三维CAD模型后进行相应设置参数，并将目标进行曲面投影生成投影区域； 步骤二、将投影区域进行像素化离散并进行曲率约束，计算像素点的辐射函数并构建辐射图像； 步骤三、对每个像素点通过闭式表达式计算震荡积分，并通过GPU并行架构计算得到总散射场后输出； 所述步骤二具体包括以下内容： B1、将均匀划分为m×n个矩形像素，得到每个像素的长度为ΔL=Lm和高为ΔH=H； B2、计算每个像素中心点对应的曲面梯度，若，则直接关联曲面点坐标及法向量，若，则对不满足曲率约束条件的局部曲面区域进行细分投影； 所述步骤三具体包括以下内容： C1、通过公式计算像素点的辐射函数，其中，为虚数单位，为波数，表示球面波相位因子，为观测点到原点的距离，为投影平面法向单位矢量，为入射波传播方向的单位矢量，为入射电场在曲面点处的值，表示z向相位调制项； C2、分别计算垂直极化和水平极化； C3、辐射图像构建：映射生成R的幅值相位图像； C4、对每个像素点，通过闭式表达式计算震荡积分得到 ，其中，，是散射波矢与入射波矢在x和y方向的差值分量，分别表示像素的长度和宽度，是辛格函数，表示第个像素中心点在投影平面上的坐标，表示中心点相位项； C5、线程映射：将m×n个像素分配到GPU线程网格，每个线程处理一个像素； C6、核函数执行：通过线程计算得到每个像素对远场散射场的贡献值并将结果存入共享内存； C7、分层归约求和：线程块内使用并行归约求和，得到总散射场为 ； C8、输出双极化散射场分量为和，其中，为垂直极化散射场分量；为水平极化散射场分量，j表示第j个像素，表示第j个像素的辐射函数的垂直极化分量，表示第j个像素的辐射函数的水平极化分量，表示第j个像素的形函数。

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